型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
BLS6G2731S-120,112

封装/外壳:SOT-502B 包装:托盘 描述:RF FET LDMOS 60V 13.5DB SOT502B 分立半导体产品 晶体管 - FET,MOSFET - 射频

AmpleonAmpleon USA Inc.

安谱隆

LDMOS S-band radar power transistor

ETC

知名厂家

RF Manual 16th edition

ETC

知名厂家

LDMOS S-band radar power transistor

General description 120 W LDMOS power transistor intended for radar applications in the 2.7 GHz to 3.1 GHz range. Features Typical pulsed RF performance at a frequency of 2.7 GHz to 3.1 GHz, a supply voltage of 32 V, an IDq of 100 mA, a tp of 100 s with  of 10 : Output power = 120 W Powe

AmpleonAmpleon USA Inc.

安谱隆

BLS6G2731S-120,112产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    BLS6G2731S-120,112

  • 功能描述

    射频MOSFET电源晶体管 LDMOS TNS

  • RoHS

  • 制造商

    Freescale Semiconductor

  • 配置

    Single

  • 频率

    1800 MHz to 2000 MHz

  • 增益

    27 dB

  • 输出功率

    100 W

  • 封装/箱体

    NI-780-4

  • 封装

    Tray

更新时间:2025-8-17 15:01:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
恩XP
2447
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一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货
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