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BGA9H1MN9E6329XTSA1

Mid-andHigh-BandLowNoiseAmplifierwithGainStepsandMIPIControl

1Features Powergain:20.2dB Lownoisefigure:0.6dB Lowcurrentconsumption:5.8mA Frequencyrangefrom1.4to2.7GHz Supplyvoltage:1.1to2.0V IntegratedMIPIRFFEinterfaceoperatingin1.65to1.95Vvoltagerange SowareprogrammableMIPIRFFEUSID USIDselectp

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技股份公司

Infineon
BGA9H1MN9E6329XTSA1

封装/外壳:9-XFLGA 包装:托盘 描述:RF MMIC 3 TO 6 GHZ PG-TSNP-9 RF/IF,射频/中频和 RFID 射频放大器

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Infineon
更新时间:2025-6-1 23:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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    2022-5-20
  • BGA524N6E6327 INFINEON/英飞凌

    www.hfxcom.com

    2021-11-29
  • BGB741L7ESDE6327XTSA1

    BGB741L7ESDE6327XTSA1

    2021-6-23
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    2020-12-24
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