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Forhighgainlownoiseamplifiers

NPNSiliconRFTransistor •Forhighgainlownoiseamplifiers •Foroscillatorsupto10GHz •NoisefigureF=1.1dBat1.8GHz outstandingGms=21dBat1.8GHz •TransitionfrequencyfT=25GHz •Goldmetallizationforhighreliability •SIEGET25GHzfT-Line •Pb-free(RoHS

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技公司

Infineon
更新时间:2024-6-24 12:00:01
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