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BDY81晶体管资料

  • BDY81(A,B,C)别名:BDY81(A,B,C)三极管、BDY81(A,B,C)晶体管、BDY81(A,B,C)晶体三极管

  • BDY81(A,B,C)生产厂家:意大利、德国Mistra公司_法国巴黎珊斯公司

  • BDY81(A,B,C)制作材料:Si-NPN

  • BDY81(A,B,C)性质:低频或音频放大 (LF)_功率放大 (L)

  • BDY81(A,B,C)封装形式:直插封装

  • BDY81(A,B,C)极限工作电压:60V

  • BDY81(A,B,C)最大电流允许值:4A

  • BDY81(A,B,C)最大工作频率:<1MHZ或未知

  • BDY81(A,B,C)引脚数:3

  • BDY81(A,B,C)最大耗散功率:36W

  • BDY81(A,B,C)放大倍数

  • BDY81(A,B,C)图片代号:B-10

  • BDY81(A,B,C)vtest:60

  • BDY81(A,B,C)htest:999900

  • BDY81(A,B,C)atest:4

  • BDY81(A,B,C)wtest:36

  • BDY81(A,B,C)代换 BDY81(A,B,C)用什么型号代替:BD243A,BD535,BD587,3DD64C,

型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
BDY81

isc Silicon NPN Power Transistor

文件:258 Kbytes Page:2 Pages

ISC

无锡固电

BDY81

Silicon NPN Power Transistor

文件:76.75 Kbytes Page:2 Pages

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新泽西半导体新泽西半导体公司

BDY81

Trans GP BJT NPN 100V 10A 3-Pin(2+Tab) TO-3

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新泽西半导体新泽西半导体公司

BDY81产品属性

  • 类型

    描述

  • Configuration:

    Single

  • Material:

    Si

  • Maximum Collector Base Voltage:

    120V

  • Maximum Collector Emitter Saturation Voltage:

    0.5@0.5A@5A

  • Maximum Collector Emitter Voltage:

    100V

  • Maximum DC Collector Current:

    10A

  • Maximum Emitter Base Voltage:

    6V

  • Maximum Operating Temperature:

    175°C

  • Maximum Power Dissipation:

    60000mW

  • Maximum Transition Frequency:

    70(Typ)MHz

  • Type:

    NPN

更新时间:2026-8-1 16:01:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
24+
TO-220
10000
全新
ST
23+
TO-220
16900
正规渠道,只有原装!
ST
25+
TO-220
20000
原装
TOSHIBA/东芝
22+
TO-220
6000
十年配单,只做原装
ST
2511
TO-220
16900
电子元器件采购降本30%!原厂直采,砍掉中间差价
ST
26+
TO-220
60000
只有原装 可配单
ST
25+
TO-220
20000
原装,请咨询
TOSHIBA
25+
TO-TO-220
12300
独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证

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