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BDY58晶体管资料

  • BDY58别名：BDY58三极管、BDY58晶体管、BDY58晶体三极管

  • BDY58生产厂家：意大利、德国Mistra公司_法国巴黎珊斯公司

  • BDY58制作材料：Si-NPN

  • BDY58性质：低频或音频放大 （LF）_开关管 （S）_功率放大 （L

  • BDY58封装形式：直插封装

  • BDY58极限工作电压：160V

  • BDY58最大电流允许值：30A

  • BDY58最大工作频率：<1MHZ或未知

  • BDY58引脚数：2

  • BDY58最大耗散功率：175W

  • BDY58放大倍数：

  • BDY58图片代号：E-44

  • BDY58vtest：160

  • BDY58htest：999900

  • BDY58atest：30

  • BDY58wtest：175

  • BDY58代换 BDY58用什么型号代替：2N6249,2N6259,2N6322,3DK210C,

型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
BDY58

isc Silicon NPN Power Transistor

DESCRIPTION ·With TO-3 package ·High current capability ·Fast switching speed APPLICATIONS ·For use in low frequency large signal power amplifications

ISC

无锡固电

BDY58

Silicon NPN Power Transistors

DESCRIPTION ·With TO-3 package ·High current capability ·Fast switching speed APPLICATIONS ·For use in low frequency large signal power amplifications

SAVANTIC

BDY58

Silicon NPN Power Transistors

DESCRIPTION ·With TO-3 package ·High current capability ·Fast switching speed APPLICATIONS ·For use in low frequency large signal power amplifications

ISC

无锡固电

BDY58

NPN SILICON TRANSISTORS, DIFFUSED MESA

• The BDY57 and BDY58 are mounted in TO-3 metal package. • LF Large Signal Power Amplification • High Current Fast Switching. • Compliance to RoHS.

COMSET

BDY58

Silicon NPN Power Transistor

DESCRIPTION • Collector-Emitter Sustaining Voltage- :VCEo(sus)=125V(Min) • High Power Dissipation • Low Collector Saturation Voltage APPLICATIONS • LF signal power amplification. • High current fast switching

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新泽西半导体新泽西半导体公司

BDY58

SILICON TRANSISTORS, DIFFUSED MESA

文件：1.09321 Mbytes Page：3 Pages

COMSET

BDY58

PRO-ELECTRON POWER TRANSISTORS

文件：353.49 Kbytes Page：2 Pages

Solitron

BDY58

Silicon NPN Power Transistors

文件：120.61 Kbytes Page：3 Pages

SAVANTIC

BDY58

NPN SILICON TRANSISTORS DIFFUSED MESA

文件：153.51 Kbytes Page：3 Pages

ETCList of Unclassifed Manufacturers

未分类制造商

BDY58

Bipolar Junction Transistors

TTELEC

BDY58S

isc Silicon NPN Power Transistor

DESCRIPTION ·Collector-Emitter Sustaining Voltage- : VCEO(SUS)= 125V(Min) ·High Power Dissipation ·Low Collector Saturation Voltage APPLICATIONS ·LF signal power amplification. ·High current fast switching

ISC

无锡固电

BDY58A

Bipolar NPN Device

文件：11.29 Kbytes Page：1 Pages

SEME-LAB

BDY58C

Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO3

文件：16.32 Kbytes Page：1 Pages

SEME-LAB

BDY58S

Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO3 Metal Package

文件：11.29 Kbytes Page：1 Pages

SEME-LAB

BDY58S

Bipolar Junction Transistors

TTELEC

BDY58产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    BDY58

  • 功能描述

    NPN SILICON TRANSISTORS DIFFUSED MESA

BDY58供应商更多...

更新时间：2025-11-24 10:30:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
深圳市赛特兴科技有限公司
BDY58
SI
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BDY58
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BDY58
SI
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深圳市得捷芯城科技有限公司
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ON/安森美
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深圳市利加科技有限公司
BDY58
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16+
NA
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深圳市莱克讯科技有限公司
BDY60A
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深圳市威尔健半导体有限公司
BDY58
ON/安森美
23+
TO-3
50000
全新原装正品现货,支持订货
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BDY58规格书下载地址

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