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型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
BDY55X

isc Silicon NPN Power Transistor

DESCRIPTION • Excellent Safe Operating Area • DC Current Gain- : hFE=20-100@IC = 4A • Collector-Emitter Saturation Voltage- : VCE(sat)= 1.1 V(Max)@ IC = 4A APPLICATIONS • Designed for general-purpose switching and amplifier applications

ISC

无锡固电

BDY55X

Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO3

文件:16.32 Kbytes Page:1 Pages

SEME-LAB

BDY55X产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    BDY55X

  • 功能描述

    NPN

更新时间:2026-5-15 20:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ST
2026+
TO-3
12
原装正品 假一罚十!
PHI
20+
TO-3
35830
原装优势主营型号-可开原型号增税票
SI
24+
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0630+
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ST
25+
TO-3
20000
原装,请咨询
24+
TO-3
10000
ON
6491224
TO-3
60
全新 发货1-2天
ST
23+
TO-3
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正规渠道,只有原装!
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60000
只有原装 可配单
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25+
500000
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