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BDX86晶体管资料

  • BDX86别名：BDX86三极管、BDX86晶体管、BDX86晶体三极管

  • BDX86生产厂家：德国电子元件股份公司

  • BDX86制作材料：Si-P+Darl+Di

  • BDX86性质：低频或音频放大 （LF）_开关管 （S）_功率放大 （L

  • BDX86封装形式：直插封装

  • BDX86极限工作电压：45V

  • BDX86最大电流允许值：10A

  • BDX86最大工作频率：10MHZ

  • BDX86引脚数：2

  • BDX86最大耗散功率：100W

  • BDX86放大倍数：β>1000

  • BDX86图片代号：E-44

  • BDX86vtest：45

  • BDX86htest：10000000

  • BDX86atest：10

  • BDX86wtest：100

  • BDX86代换 BDX86用什么型号代替：BDX64,BDX84A,BDX88,MJ2500,TIP145,2N6050,

型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
BDX86

isc Silicon PNP Darlington Power Transistor

DESCRIPTION • High DC Current Gain- : hFE= 750(Min)@ IC= -3A • Collector-Emitter Sustaining Voltage- : VCEO(SUS) = -45V(Min)- BDX86; -60V(Min)- BDX86A -80V(Min)- BDX86B; -100V(Min)- BDX86C • Complement to Type BDX85/A/B/C APPLICATIONS • Designed for use in power linear and switching applicati

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC
BDX86

Silicon PNP Darlington Power Transistor

DESCRIPTION • High DC Current Gain- : hFE= 750(Min)@ IC= -3A • Collector-Emitter Sustaining Voltage- : VCEO(SUS) = -45V(Min)- BDX86; -60V(Min)- BDX86A -80V(Min)- BDX86B; -100V(Min)- BDX86C • Complement to Type BDX85/A/B/C APPLICATIONS • Designed for use in power linear and switching applicati

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司

NJSEMI
BDX86

Power Transistors

DESCRIPTION: The CENTRAL SEMICONDUCTOR 2N6674, 2N6675 types are NPN Silicon Triple Diffused Mesa Power Transistors designed for high voltage switching applications. MARKING: FULL PART NUMBER

CentralCentral Semiconductor Corp

美国中央半导体

Central
BDX86

Bipolar PNP Device

文件：11.29 Kbytes Page：1 Pages

SEME-LAB

Seme LAB

SEME-LAB
BDX86A

Power Transistors

DESCRIPTION: The CENTRAL SEMICONDUCTOR 2N6674, 2N6675 types are NPN Silicon Triple Diffused Mesa Power Transistors designed for high voltage switching applications. MARKING: FULL PART NUMBER

CentralCentral Semiconductor Corp

美国中央半导体

Central
BDX86A

isc Silicon PNP Darlington Power Transistor

DESCRIPTION • High DC Current Gain- : hFE= 750(Min)@ IC= -3A • Collector-Emitter Sustaining Voltage- : VCEO(SUS) = -45V(Min)- BDX86; -60V(Min)- BDX86A -80V(Min)- BDX86B; -100V(Min)- BDX86C • Complement to Type BDX85/A/B/C APPLICATIONS • Designed for use in power linear and switching applicati

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC
BDX86A

Silicon PNP Darlington Power Transistor

DESCRIPTION • High DC Current Gain- : hFE= 750(Min)@ IC= -3A • Collector-Emitter Sustaining Voltage- : VCEO(SUS) = -45V(Min)- BDX86; -60V(Min)- BDX86A -80V(Min)- BDX86B; -100V(Min)- BDX86C • Complement to Type BDX85/A/B/C APPLICATIONS • Designed for use in power linear and switching applicati

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BDX86B

Power Transistors

DESCRIPTION: The CENTRAL SEMICONDUCTOR 2N6674, 2N6675 types are NPN Silicon Triple Diffused Mesa Power Transistors designed for high voltage switching applications. MARKING: FULL PART NUMBER

CentralCentral Semiconductor Corp

美国中央半导体

Central
BDX86B

isc Silicon PNP Darlington Power Transistor

DESCRIPTION • High DC Current Gain- : hFE= 750(Min)@ IC= -3A • Collector-Emitter Sustaining Voltage- : VCEO(SUS) = -45V(Min)- BDX86; -60V(Min)- BDX86A -80V(Min)- BDX86B; -100V(Min)- BDX86C • Complement to Type BDX85/A/B/C APPLICATIONS • Designed for use in power linear and switching applicati

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

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BDX86B

Silicon PNP Darlington Power Transistor

DESCRIPTION • High DC Current Gain- : hFE= 750(Min)@ IC= -3A • Collector-Emitter Sustaining Voltage- : VCEO(SUS) = -45V(Min)- BDX86; -60V(Min)- BDX86A -80V(Min)- BDX86B; -100V(Min)- BDX86C • Complement to Type BDX85/A/B/C APPLICATIONS • Designed for use in power linear and switching applicati

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Power Transistors

DESCRIPTION: The CENTRAL SEMICONDUCTOR 2N6674, 2N6675 types are NPN Silicon Triple Diffused Mesa Power Transistors designed for high voltage switching applications. MARKING: FULL PART NUMBER

CentralCentral Semiconductor Corp

美国中央半导体

Central
BDX86C

isc Silicon PNP Darlington Power Transistor

DESCRIPTION • High DC Current Gain- : hFE= 750(Min)@ IC= -3A • Collector-Emitter Sustaining Voltage- : VCEO(SUS) = -45V(Min)- BDX86; -60V(Min)- BDX86A -80V(Min)- BDX86B; -100V(Min)- BDX86C • Complement to Type BDX85/A/B/C APPLICATIONS • Designed for use in power linear and switching applicati

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC
BDX86C

Silicon PNP Darlington Power Transistor

DESCRIPTION • High DC Current Gain- : hFE= 750(Min)@ IC= -3A • Collector-Emitter Sustaining Voltage- : VCEO(SUS) = -45V(Min)- BDX86; -60V(Min)- BDX86A -80V(Min)- BDX86B; -100V(Min)- BDX86C • Complement to Type BDX85/A/B/C APPLICATIONS • Designed for use in power linear and switching applicati

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Bipolar PNP Device in a Hermetically sealed TO3

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Bipolar PNP Device in a Hermetically sealed TO3

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BDX86产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    BDX86

  • 制造商

    ISC

  • 制造商全称

    Inchange Semiconductor Company Limited

  • 功能描述

    Silicon PNP Darlington Power Transistor

BDX86供应商更多...

更新时间：2025-8-6 12:30:00
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