BDX85B晶体管资料

  • BDX85B别名:BDX85B三极管、BDX85B晶体管、BDX85B晶体三极管

  • BDX85B生产厂家:德国电子元件股份公司

  • BDX85B制作材料:Si-N+Darl+Di

  • BDX85B性质:低频或音频放大 (LF)_开关管 (S)_功率放大 (L

  • BDX85B封装形式:直插封装

  • BDX85B极限工作电压:80V

  • BDX85B最大电流允许值:10A

  • BDX85B最大工作频率:10MHZ

  • BDX85B引脚数:2

  • BDX85B最大耗散功率:100W

  • BDX85B放大倍数:β>1000

  • BDX85B图片代号:E-44

  • BDX85Bvtest:80

  • BDX85Bhtest:10000000

  • BDX85Batest:10

  • BDX85Bwtest:100

  • BDX85B代换 BDX85B用什么型号代替:BDX65A,BDX83B,BDX87B,FH8C,MJ3001,TIP141,2N6058,

型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
BDX85B

Power Transistors

DESCRIPTION: The CENTRAL SEMICONDUCTOR 2N6674, 2N6675 types are NPN Silicon Triple Diffused Mesa Power Transistors designed for high voltage switching applications. MARKING: FULL PART NUMBER

Central

BDX85B

isc Silicon NPN Darlington Power Transistor

DESCRIPTION • High DC Current Gain- : hFE= 750(Min)@ IC= 3A • Collector-Emitter Sustaining Voltage- : VCEO(SUS) = 45V(Min)- BDX85; 60V(Min)- BDX85A 80V(Min)- BDX85B; 100V(Min)- BDX85C • Complement to Type BDX86/A/B/C APPLICATIONS • Designed for use in power linear and switching applications.

ISC

无锡固电

BDX85B

Silicon NPN Darlington Power Transistor

DESCRIPTION • High DC Current Gain- : hFE= 750(Min)@ IC= 3A • Collector-Emitter Sustaining Voltage- : VCEO(SUS) = 45V(Min)- BDX85; 60V(Min)- BDX85A 80V(Min)- BDX85B; 100V(Min)- BDX85C • Complement to Type BDX86/A/B/C APPLICATIONS • Designed for use in power linear and switching applications.

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司

BDX85B

Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO3

文件:15.5 Kbytes Page:1 Pages

SEME-LAB

Seme LAB

BDX85B产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    BDX85B

  • 制造商

    ISC

  • 制造商全称

    Inchange Semiconductor Company Limited

  • 功能描述

    Silicon NPN Darlington Power Transistor

更新时间:2025-8-9 13:27:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ST
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