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BDW94CFP晶体管资料

  • BDW94CFP别名:BDW94CFP三极管、BDW94CFP晶体管、BDW94CFP晶体三极管

  • BDW94CFP生产厂家

  • BDW94CFP制作材料:Si-P+Darl+Di

  • BDW94CFP性质:LSO

  • BDW94CFP封装形式:直插封装

  • BDW94CFP极限工作电压:100V

  • BDW94CFP最大电流允许值:12A

  • BDW94CFP最大工作频率:>20MHZ

  • BDW94CFP引脚数:3

  • BDW94CFP最大耗散功率:33W

  • BDW94CFP放大倍数:β>750

  • BDW94CFP图片代号:B-10

  • BDW94CFPvtest:100

  • BDW94CFPhtest:20000100

  • BDW94CFPatest:12

  • BDW94CFPwtest:33

  • BDW94CFP代换 BDW94CFP用什么型号代替:BDT64BF,BDT64CF,

BDW94CFP价格

参考价格:¥2.2998

型号:BDW94CFP 品牌:STMICROELECTRONICS 备注:这里有BDW94CFP多少钱,2026年最近7天走势,今日出价,今日竞价,BDW94CFP批发/采购报价,BDW94CFP行情走势销售排行榜,BDW94CFP报价。
型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
BDW94CFP

COMPLEMENTARY SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTORS

NPN ---> BDW93CFP PNP ---> BDW94CFP DESCRIPTION The BDW93CFP is a silicon Epitaxial-Base NPN transistor in monolithic Darlington configuration mounted in TO-220FP fully molded insulated package. It is intented for use in power linear and switching applications. The complementary PNP ty

STMICROELECTRONICS

意法半导体

BDW94CFP

互补硅功率达林顿晶体管

The BDW93CFP is a silicon Epitaxial-Base NPN transistor in monolithic Darlington configuration mounted in TO-220FP fully molded insulated package. It is intented for use in power linear and switching applications.\n\n The complementary PNP type is the BDW94CFP. • 2000 V DC INSULATION (U.L. COMPLIANT) \n• STMicroelectronics PREFERRED SALESTYPES \n• COMPLEMENTARY PNP - NPN DEVICES \n• MONOLITHIC DARLINGTON CONFIGURATION \n• FULLY MOLDED INSULATED PACKAGE \n• INTEGRATED ANTIPARALLEL COLLECTOR-EMITTER DIODE;

STMICROELECTRONICS

意法半导体

BDW94CFP

COMPLEMENTARY SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTORS

文件:92.05 Kbytes Page:4 Pages

STMICROELECTRONICS

意法半导体

BDW94CFP

isc Silicon PNP Darlington Power Transistor

文件:394.81 Kbytes Page:2 Pages

ISC

无锡固电

BDW94CFP

封装/外壳:TO-220-3 整包 包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 描述:TRANS PNP DARL 100V 12A TO220FP 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

STMICROELECTRONICS

意法半导体

BDW94CFP产品属性

  • 类型

    描述

  • Marketing Status:

    Active

  • Grade:

    Industrial

  • Transistor Polarity:

    PNP

  • Collector-Emitter Voltage_max(V):

    100

  • Collector-Base Voltage_max(V):

    100

  • Collector Current_abs_max(A):

    12

  • Dc Current Gain_min:

    750

  • Test Condition for hFE (IC):

    5

  • Test Condition for hFE (VCE)_spec(V):

    3

  • VCE(sat)_max(V):

    2

  • Test Condition for VCE(sat) - IC:

    5

  • Test Condition for VCE(sat) - IB_spec(mA):

    20

更新时间:2026-5-14 22:59:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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