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BDW93CF晶体管资料

  • BDW93CFI别名:BDW93CFI三极管、BDW93CFI晶体管、BDW93CFI晶体三极管

  • BDW93CFI生产厂家

  • BDW93CFI制作材料:Si-N+Darl+Di

  • BDW93CFI性质:LSO

  • BDW93CFI封装形式:直插封装

  • BDW93CFI极限工作电压:100V

  • BDW93CFI最大电流允许值:12A

  • BDW93CFI最大工作频率:>20MHZ

  • BDW93CFI引脚数:3

  • BDW93CFI最大耗散功率:40W

  • BDW93CFI放大倍数:β>750

  • BDW93CFI图片代号:B-10

  • BDW93CFIvtest:100

  • BDW93CFIhtest:20000100

  • BDW93CFIatest:12

  • BDW93CFIwtest:40

  • BDW93CFI代换 BDW93CFI用什么型号代替:BDT65BF,BDT65CF,

BDW93CF价格

参考价格:¥2.2998

型号:BDW93CFP 品牌:STMICROELECTRONICS 备注:这里有BDW93CF多少钱,2026年最近7天走势,今日出价,今日竞价,BDW93CF批发/采购报价,BDW93CF行情走势销售排行榜,BDW93CF报价。
型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
BDW93CF

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Hammer Drivers, Audio Amplifiers Applications • Power Darlington TR • Complement to BDW94CF respectively

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COMPLEMENTARY SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTORS

NPN ---> BDW93CFP PNP ---> BDW94CFP DESCRIPTION The BDW93CFP is a silicon Epitaxial-Base NPN transistor in monolithic Darlington configuration mounted in TO-220FP fully molded insulated package. It is intented for use in power linear and switching applications. The complementary PNP ty

STMICROELECTRONICS

意法半导体

互补硅功率达林顿晶体管

The BDW93CFP is a silicon Epitaxial-Base NPN transistor in monolithic Darlington configuration mounted in TO-220FP fully molded insulated package. It is intented for use in power linear and switching applications.\n\n The complementary PNP type is the BDW94CFP. • 2000 V DC INSULATION (U.L. COMPLIANT) \n• STMicroelectronics PREFERRED SALESTYPES \n• COMPLEMENTARY PNP - NPN DEVICES \n• MONOLITHIC DARLINGTON CONFIGURATION \n• FULLY MOLDED INSULATED PACKAGE \n• INTEGRATED ANTIPARALLEL COLLECTOR-EMITTER DIODE;

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安森美半导体

BDW93CF产品属性

  • 类型

    描述

  • Marketing Status:

    Active

  • Grade:

    Industrial

  • Transistor Polarity:

    NPN

  • Collector-Emitter Voltage_max(V):

    100

  • Collector-Base Voltage_max(V):

    100

  • Collector Current_abs_max(A):

    12

  • Dc Current Gain_min:

    750

  • Test Condition for hFE (IC):

    5

  • Test Condition for hFE (VCE)_spec(V):

    3

  • VCE(sat)_max(V):

    2

  • Test Condition for VCE(sat) - IC:

    5

  • Test Condition for VCE(sat) - IB_spec(mA):

    20

更新时间:2026-5-14 16:22:00
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