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BDW83C晶体管资料

  • BDW83C别名：BDW83C三极管、BDW83C晶体管、BDW83C晶体三极管

  • BDW83C生产厂家：美国得克萨斯仪表公司

  • BDW83C制作材料：Si-N+Darl+Di

  • BDW83C性质：低频或音频放大 （LF）_功率放大 （L）

  • BDW83C封装形式：直插封装

  • BDW83C极限工作电压：100V

  • BDW83C最大电流允许值：15A

  • BDW83C最大工作频率：>1MHZ

  • BDW83C引脚数：3

  • BDW83C最大耗散功率：150W

  • BDW83C放大倍数：β>750

  • BDW83C图片代号：B-62

  • BDW83Cvtest：100

  • BDW83Chtest：1000100

  • BDW83Catest：15

  • BDW83Cwtest：150

  • BDW83C代换 BDW83C用什么型号代替：BDV65B,BDV67A,FH9D,

BDW83C价格

参考价格：￥12.3671

型号：BDW83C 品牌：ST 备注：这里有BDW83C多少钱，2025年最近7天走势，今日出价，今日竞价，BDW83C批发/采购报价，BDW83C行情走势销售排行榜，BDW83C报价。
型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
BDW83C

Silicon NPN Power Transistors

DESCRIPTION •WithTO-3PNpackage •ComplementtotypeBDW84/84A/84B/84C/84D •DARLINGTON •HighDCcurrentgain APPLICATIONS •Foruseinpowerlinearandswitchingapplications.

SAVANTIC

Savantic, Inc.

SAVANTIC
BDW83C

NPN power Darlington transistor

Description TheBDW83Cisanepitaxial-baseNPNpowermonolithicDarlingtontransistormountedinTO-247plasticpackage.Itisintendedforuseinpowerlinearandswitchingapplications. Features ■Highcurrentcapability ■Fastswitchingspeed ■HighDCcurrentgain Applications ■Linear

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半导体意法半导体集团

STMICROELECTRONICS
BDW83C

Silicon NPN Power Transistors

DESCRIPTION •WithTO-3PNpackage •ComplementtotypeBDW84/84A/84B/84C/84D •DARLINGTON •HighDCcurrentgain APPLICATIONS •Foruseinpowerlinearandswitchingapplications.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC
BDW83C

COMPLEMENTARY SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTORS

DESCRIPTION TheBDW83CisaSiliconEpitaxial-BaseNPNpowermonolithicDarlingtontransistormountedinJedecTO-218plasticpackage.Itisintendedforuseinpowerlinearandswitchingapplications. ThecomplementarytypeisBDW84C. ■BDW83CISASTMicroelectronicsPREFERREDSALESTYPE ■COM

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半导体意法半导体集团

STMICROELECTRONICS
BDW83C

NPN SILICON POWER DARLINGTONS

●DesignedforComplementaryUsewith BDW84,BDW84A,BDW84B,BDW84CandBDW84D ●150Wat25°CCaseTemperature ●15AContinuousCollectorCurrent ●MinimumhFEof750at3V,6A

POINN

Power Innovations Ltd

POINN
BDW83C

NPN SILICON DARLINGTONS POWER TRANSISTORS

NPNSILICONDARLINGTONSPOWERTRANSISTORS Theyaresiliconepitaxial-baseNPNpowermonolithicDarlingtontransistormountedinJedec TO-218plasticpackage. Theyareintendedforuseinpowerlinearandswitchingapplications. ThecomplementaryareBDW84,BDW84A,BDW84B,BDW84C,B

COMSET

Comset Semiconductor

COMSET
BDW83C

Silicon NPN Darlington Power Transistor

DESCRIPTION •CollectorCurrent-lc=15A •HighDCCurrentGain-hFE=750(Min)@lc=6A •ComplementtoTypeBDW84/A/B/C APPLICATIONS •Designedforgeneralpurposeamplifierandlowspeedswitchingapplications

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司

NJSEMI
BDW83C

封装/外壳：TO-218-3 包装：散装 描述：TRANS NPN 100V 15A TO218 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个

CentralCentral Semiconductor Corp

美国中央半导体

Central
BDW83C

封装/外壳：TO-247-3 包装：剪切带（CT）带盒（TB） 描述：TRANS NPN DARL 100V 15A TO247-3 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半导体意法半导体集团

STMICROELECTRONICS
BDW83C

Silicon NPN Power Transistors

文件：149.15 Kbytes Page：3 Pages

SAVANTIC

Savantic, Inc.

SAVANTIC
BDW83C

NPN SILICON POWER DARLINGTONS

文件：282.24 Kbytes Page：5 Pages

BournsBourns Electronic Solutions

伯恩斯

Bourns
BDW83C

NPN SILICON POWER DARLINGTONS

文件：120.59 Kbytes Page：5 Pages

BournsBourns Electronic Solutions

伯恩斯

Bourns
BDW83C

COMPLEMENTARY SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTORS

文件：49.9 Kbytes Page：4 Pages

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半导体意法半导体集团

STMICROELECTRONICS
BDW83C

Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO3

文件：15.53 Kbytes Page：1 Pages

SEME-LAB

Seme LAB

SEME-LAB
BDW83C_07

NPN power Darlington transistor

Description TheBDW83Cisanepitaxial-baseNPNpowermonolithicDarlingtontransistormountedinTO-247plasticpackage.Itisintendedforuseinpowerlinearandswitchingapplications. Features ■Highcurrentcapability ■Fastswitchingspeed ■HighDCcurrentgain Applications ■Linear

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半导体意法半导体集团

STMICROELECTRONICS
BDW83C_02

COMPLEMENTARY SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTORS

文件：49.9 Kbytes Page：4 Pages

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半导体意法半导体集团

STMICROELECTRONICS

BDW83C产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    BDW83C

  • 功能描述

    达林顿晶体管 NPN Power Darlington

  • RoHS

    否

  • 制造商

    Texas Instruments

  • 配置

    Octal

  • 晶体管极性

    NPN 集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    50 V 发射极 - 基极电压

  • VEBO

    集电极—基极电压

  • 最大直流电集电极电流

    0.5 A

  • 最大工作温度

    + 150 C

  • 安装风格

    SMD/SMT

  • 封装/箱体

    SOIC-18

  • 封装

    Reel

BDW83C供应商更多...

更新时间：2025-7-5 16:01:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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BDW83C
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