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BDW83B晶体管资料

  • BDW83B别名：BDW83B三极管、BDW83B晶体管、BDW83B晶体三极管

  • BDW83B生产厂家：美国得克萨斯仪表公司

  • BDW83B制作材料：Si-N+Darl+Di

  • BDW83B性质：低频或音频放大 （LF）_功率放大 （L）

  • BDW83B封装形式：直插封装

  • BDW83B极限工作电压：80V

  • BDW83B最大电流允许值：15A

  • BDW83B最大工作频率：>1MHZ

  • BDW83B引脚数：3

  • BDW83B最大耗散功率：150W

  • BDW83B放大倍数：β>750

  • BDW83B图片代号：B-62

  • BDW83Bvtest：80

  • BDW83Bhtest：1000100

  • BDW83Batest：15

  • BDW83Bwtest：150

  • BDW83B代换 BDW83B用什么型号代替：BD65A,BDV67A,FH9C,

型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
BDW83B

NPN SILICON POWER DARLINGTONS

● Designed for Complementary Use with BDW84, BDW84A, BDW84B, BDW84C and BDW84D ● 150 W at 25°C Case Temperature ● 15 A Continuous Collector Current ● Minimum hFE of 750 at 3 V, 6 A

POINN

BDW83B

Silicon NPN Power Transistors

DESCRIPTION • With TO-3PN package • Complement to type BDW84/84A/84B/84C/84D • DARLINGTON • High DC current gain APPLICATIONS • For use in power linear and switching applications.

SAVANTIC

BDW83B

Silicon NPN Power Transistors

DESCRIPTION • With TO-3PN package • Complement to type BDW84/84A/84B/84C/84D • DARLINGTON • High DC current gain APPLICATIONS • For use in power linear and switching applications.

ISC

无锡固电

BDW83B

NPN SILICON DARLINGTONS POWER TRANSISTORS

NPN SILICON DARLINGTONS POWER TRANSISTORS They are silicon epitaxial-base NPN power monolithic Darlington transistor mounted in Jedec TO-218 plastic package. They are intended for use in power linear and switching applications. The complementary are BDW84, BDW84A, BDW84B, BDW84C, B

COMSET

BDW83B

Silicon NPN Darlington Power Transistor

DESCRIPTION • Collector Current -lc= 15A • High DC Current Gain-hFE= 750(Min)@ lc= 6A • Complement to Type BDW84/A/B/C APPLICATIONS • Designed for general purpose amplifier and low speed switching applications

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新泽西半导体新泽西半导体公司

BDW83B

封装/外壳：TO-218-3 包装：散装 描述：TRANS NPN 80V 15A TO218 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个

CENTRAL

BDW83B

Trans Darlington NPN 80V 15A 3-Pin(3+Tab) SOT-93

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新泽西半导体新泽西半导体公司

BDW83B

Transistor

COMSET

BDW83B

Bipolar Junction Transistors

TTELEC

BDW83B

Silicon NPN Power Transistors

文件：149.15 Kbytes Page：3 Pages

SAVANTIC

BDW83B

NPN SILICON POWER DARLINGTONS

文件：282.24 Kbytes Page：5 Pages

BOURNS

伯恩斯

BDW83B

Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO3

文件：15.52 Kbytes Page：1 Pages

SEME-LAB

BDW83B

NPN SILICON POWER DARLINGTONS

文件：120.59 Kbytes Page：5 Pages

BOURNS

伯恩斯

BDW83B-S

封装/外壳：TO-218-3 包装：卷带（TR） 描述：TRANS NPN DARL 80V 15A SOT93 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个

ETC

知名厂家

BDW83B产品属性

  • 类型

    描述

  • Number of Elements per Chip：

    1

  • Minimum Operating Temperature：

    -65°C

  • Minimum DC Current Gain：

    \\750@6A@3V100@15A@3V\\

  • Maximum Operating Temperature：

    150°C

  • Maximum Emitter Base Voltage：

    5V

  • Maximum Continuous DC Collector Current：

    15A

  • Maximum Collector Emitter Voltage：

    80V

  • Maximum Collector Base Voltage：

    80V

  • Configuration：

    Single

BDW83B供应商更多...

更新时间：2026-5-15 20:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
深圳市得捷芯城科技有限公司
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    2012-11-10

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