型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
BDT63C

isc Silicon NPN Darlington Power Transistor

DESCRIPTION ·Collector Current -IC= 10A ·High DC Current Gain-hFE= 1000(Min)@ IC= 3A ·Complement to Type BDT62/A/B/C APPLICATIONS ·Designed for audio output stages and general purpose amplifier applications

ISC

无锡固电

BDT63C

SILICON DARLINGTON POWER TRANSISTORS

NPN epitaxial-base transistors in a monolithic Dalrington circuit and housed in a TO-220 envelope. They are intended for output stages in audio equipment, general amplifiers, and analogue switching application. PNP complements are BDT62-A-B-C Compliance to RoHS.

COMSET

BDT63C

Silicon NPN Darlington Power Transistor

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NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新泽西半导体新泽西半导体公司

BDT63C

isc Silicon NPN Darlington Power Transistor

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ISC

无锡固电

BDT63C

Darlington BJT

ETC

知名厂家

BDT63C

Transistor

COMSET

BDT63CX-MAG.R - 单晶体管 双极, 达林顿, NPN, 115 V, 90 W, 10 A, 1000 hFE

TTELEC

BDT63C产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    BDT63C

  • 制造商

    TT Electronics/ Semelab

  • 功能描述

    DARLINGTON TRANSISTOR TO-220

  • 制造商

    TT Electronics/ Semelab

  • 功能描述

    DARLINGTON TRANSISTOR, TO-220

更新时间:2025-11-20 23:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ST/意法
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NA/
3750
原装现货,当天可交货,原型号开票
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SOT
100

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