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型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
BDT62C

isc Silicon PNP Darlington Power Transistors

DESCRIPTION ·DC Current Gain -hFE = 1000(Min)@ IC= -3A ·Collector-Emitter Sustaining Voltage- : VCEO(SUS) = -60V(Min)- BDT62; -80V(Min)- BDT62A; -100V(Min)- BDT62B; -120V(Min)- BDT62C ·Complement to Type BDT63/A/B/C APPLICATIONS ·Designed for use in

ISC

无锡固电

BDT62C

BDT62C - 单晶体管 双极, 达林顿, PNP, 120 V, 90 W, 10 A, 200 hFE

The BDT62C is a PNP silicon Power Transistor in monolithic Darlington circuit for audio output stages, general amplifier and switching applications. ·NPN complement BDT63C;

TTELEC

BDT62C

Trans Darlington PNP 120V 10A

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新泽西半导体新泽西半导体公司

BDT62C

Silicon PNP Darlington Power Transistors

文件:87.09 Kbytes Page:2 Pages

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新泽西半导体新泽西半导体公司

BDT62C产品属性

  • 类型

    描述

  • Number of Elements per Chip:

    1

  • Minimum Operating Temperature:

    -65ᄀC

  • Minimum DC Current Gain:

    1000@3A@3V

  • Maximum Operating Temperature:

    150ᄀC

  • Maximum Emitter Base Voltage:

    5V

  • Maximum Continuous DC Collector Current:

    10A

  • Maximum Collector Emitter Voltage:

    120V

  • Maximum Collector Base Voltage:

    120V

  • Configuration:

    Single

更新时间:2026-8-1 20:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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