型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
BDT62C

isc Silicon PNP Darlington Power Transistors

DESCRIPTION ·DC Current Gain -hFE = 1000(Min)@ IC= -3A ·Collector-Emitter Sustaining Voltage- : VCEO(SUS) = -60V(Min)- BDT62; -80V(Min)- BDT62A; -100V(Min)- BDT62B; -120V(Min)- BDT62C ·Complement to Type BDT63/A/B/C APPLICATIONS ·Designed for use in

ISC

无锡固电

BDT62C

Silicon PNP Darlington Power Transistors

文件:87.09 Kbytes Page:2 Pages

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新泽西半导体新泽西半导体公司

BDT62C

BDT62C - 单晶体管 双极, 达林顿, PNP, 120 V, 90 W, 10 A, 200 hFE

TTELEC

BDT62C

Trans Darlington PNP 120V 10A

ETC

知名厂家

BDT62C产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    BDT62C

  • 制造商

    TT Electronics/ Semelab

  • 功能描述

    DARLINGTON TRANSISTOR TO-220

  • 制造商

    TT Electronics/ Semelab

  • 功能描述

    DARLINGTON TRANSISTOR, TO-220

  • 制造商

    SEMELAB

  • 功能描述

    DARLINGTON TRANSISTOR, TO-220; Transistor

  • Polarity

    PNP; Collector Emitter Voltage

  • V(br)ceo

    120V; Power Dissipation

  • Pd

    90W; DC Collector

  • Current

    10A; DC Current Gain

  • hFE

    200; Transistor Case

  • Style

    TO-220; No. of

  • Pins

    3;

  • SVHC

    No SVHC ;RoHS

  • Compliant

    Yes

更新时间:2025-11-20 20:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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24+
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30
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