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型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
BDT62A

isc Silicon PNP Darlington Power Transistors

DESCRIPTION ·DC Current Gain -hFE = 1000(Min)@ IC= -3A ·Collector-Emitter Sustaining Voltage- : VCEO(SUS) = -60V(Min)- BDT62; -80V(Min)- BDT62A; -100V(Min)- BDT62B; -120V(Min)- BDT62C ·Complement to Type BDT63/A/B/C APPLICATIONS ·Designed for use in

ISC

无锡固电

BDT62A

Silicon PNP Darlington Power Transistors

文件:87.09 Kbytes Page:2 Pages

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新泽西半导体新泽西半导体公司

BDT62A

Trans Darlington PNP 80V 10A

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新泽西半导体新泽西半导体公司

Trans Darlington PNP 80V 10A

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新泽西半导体新泽西半导体公司

BDT62A产品属性

  • 类型

    描述

  • Number of Elements per Chip:

    1

  • Minimum Operating Temperature:

    -65ᄀC

  • Minimum DC Current Gain:

    1000@3A@3V

  • Maximum Operating Temperature:

    150ᄀC

  • Maximum Emitter Base Voltage:

    5V

  • Maximum Continuous DC Collector Current:

    10A

  • Maximum Collector Emitter Voltage:

    80V

  • Maximum Collector Base Voltage:

    80V

  • Configuration:

    Single

更新时间:2026-8-3 18:55:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ST
24+
TO-220
15000
原装现货热卖
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23+
SMC(DO-214AB)
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原装,请咨询
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17+
TO-220
6200
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10000
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26+
TO-220
60000
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