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BDT60A晶体管资料

BDT60A别名：BDT60A三极管、BDT60A晶体管、BDT60A晶体三极管
BDT60A生产厂家：英国Mullard有限公司
BDT60A制作材料：Si-P+Darl+Di
BDT60A性质：低频或音频放大（LF）_开关管（S）_功率放大（L
BDT60A封装形式：直插封装
BDT60A极限工作电压：80V
BDT60A最大电流允许值：4A
BDT60A最大工作频率：>10MHZ
BDT60A引脚数：3
BDT60A最大耗散功率：50W
BDT60A放大倍数：β>750
BDT60A图片代号：B-89
BDT60Avtest：80
BDT60Ahtest：10000100
BDT60Aatest：4
BDT60Awtest：50

BDT60A代换 BDT60A用什么型号代替：BD718,BDW24B,BDW54B,BDW64B,

型号	功能描述	生产厂家&企业
BDT60A	PNP SILICON POWER DARLINGTONS PNPSILICONPOWERDARLINGTONS •DesignedforComplementaryUsewithBDT60,BDT60A,BDT60BandBDT60C •50Wat25°CCaseTemperature •4AContinuousCollectorCurrent •MinimumhFEof750at1.5V,3A	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司
BDT60A	Complement to Type BDT61/A/B/C DESCRIPTION ·DCCurrentGain-hFE=750(Min)@IC=-1.5A ·Collector-EmitterSustainingVoltage- :VCEO(SUS)=-60V(Min)-BDT60;-80V(Min)-BDT60A; -100V(Min)-BDT60B;-120V(Min)-BDT60C ·ComplementtoTypeBDT61/A/B/C APPLICATIONS ·Designedforuseinaudi	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
BDT60A	PNP SILICON POWER DARLINGTONS PNPSILICONPOWERDARLINGTONS ●DesignedforComplementaryUsewithBDT61,BDT61A,BDT61BandBDT61C ●50Wat25°CCaseTemperature ●4AContinuousCollectorCurrent ●MinimumhFEof750at1.5V,3A	POINNPower Innovations Ltd Power Innovations Ltd
BDT60A	PNP SILICON POWER DARLINGTONS PNPSILICONPOWERDARLINGTONS ●DesignedforComplementaryUsewithBDT61,BDT61A,BDT61BandBDT61C ●50Wat25°CCaseTemperature ●4AContinuousCollectorCurrent ●MinimumhFEof750at1.5V,3A	TRSYS Transys Electronics
BDT60A	PNP SILICON POWER DARLINGTONS 文件：119.03 Kbytes Page：5 Pages	BournsBourns Inc. 伯恩斯（邦士）
BDT60AF	isc Silicon PNP Darlington Power Transistors DESCRIPTION ·DCCurrentGain-hFE=750(Min)@IC=-1.5A ·Collector-EmitterSustainingVoltage- :VCEO(SUS)=-60V(Min)-BDT60F;-80V(Min)-BDT60AF -100V(Min)-BDT60BF;-120V(Min)-BDT60CF ·ComplementtoTypeBDT61F/61AF/61BF/61CF APPLICATIONS ·D	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
BDT60AF	Silicon PNP Darlington Power Transistors DESCRIPTION •DCCurrentGain-hFE=750(Min)@IC=-1.5A •Collector-EmitterSustainingVoltage-:VCEo(sus)=-60V(Min)-BDT60F;-SOV(Min)-BDT60AF -100V(Min)-BDT60BF;-120V(Min)-BDT60CF •ComplementtoTypeBDT61F/	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司

BDT60A产品属性

类型
描述
型号
BDT60A
功能描述
达林顿晶体管 50W 4A PNP
RoHS
否
制造商
Texas Instruments
配置
Octal
晶体管极性
NPN 集电极—发射极最大电压
VCEO
50 V 发射极 - 基极电压
VEBO
集电极—基极电压
最大直流电集电极电流
0.5 A
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装/箱体
SOIC-18
封装
Reel

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更新时间：2024-5-8 14:01:00

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深圳市维尔达电子有限公司	BDT60A	ST	2023+	TO-220	80000	一级代理/分销渠道价格优势十年芯程一路只做原装正品	询价
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