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BDT42B晶体管资料

  • BDT42B别名:BDT42B三极管、BDT42B晶体管、BDT42B晶体三极管

  • BDT42B生产厂家:英国Mullard有限公司

  • BDT42B制作材料:Si-PNP

  • BDT42B性质:低频或音频放大 (LF)_开关管 (S)_功率放大 (L

  • BDT42B封装形式:直插封装

  • BDT42B极限工作电压:80V

  • BDT42B最大电流允许值:6A

  • BDT42B最大工作频率:<1MHZ或未知

  • BDT42B引脚数:3

  • BDT42B最大耗散功率:65W

  • BDT42B放大倍数

  • BDT42B图片代号:B-89

  • BDT42Bvtest:80

  • BDT42Bhtest:999900

  • BDT42Batest:6

  • BDT42Bwtest:65

  • BDT42B代换 BDT42B用什么型号代替:3CD8C,

型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
BDT42B

isc Silicon PNP Power Transistors

文件:117.86 Kbytes Page:2 Pages

ISC

无锡固电

BDT42B

isc Silicon PNP Power Transistors

文件:117.86 Kbytes Page:2 Pages

ISC

无锡固电

BDT42B

Silicon PNP Power Transistors

文件:130.07 Kbytes Page:2 Pages

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新泽西半导体新泽西半导体公司

BDT42B

Trans GP BJT PNP 80V 6A

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新泽西半导体新泽西半导体公司

Trans GP BJT PNP 80V 6A

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新泽西半导体新泽西半导体公司

isc Silicon PNP Power Transistors

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ISC

无锡固电

Silicon PNP Power Transistors

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NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新泽西半导体新泽西半导体公司

BDT42B产品属性

  • 类型

    描述

  • Configuration:

    Single

  • Material:

    Si

  • Maximum Collector Base Voltage:

    120V

  • Maximum Collector Emitter Saturation Voltage:

    1.5@0.6A@6AV

  • Maximum Collector Emitter Voltage:

    80V

  • Maximum DC Collector Current:

    6A

  • Maximum Emitter Base Voltage:

    5V

  • Maximum Operating Temperature:

    150ᄀC

  • Maximum Power Dissipation:

    65000mW

  • Maximum Transition Frequency:

    3(Min)MHz

  • Type:

    PNP

更新时间:2026-5-16 17:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
24+
TO-220
10000
全新
CHINAXYJ
23+
7.6X6.8X2
9868
专做原装正品,假一罚百!
ST
22+
TO-220
16900
电子元器件采购降本30%!原厂直采,砍掉中间差价
ST
25+
TO-220
20000
原装
恩XP
23+
TO-220
8000
只做原装现货
恩XP
23+
TO-220
7000
恩XP
2022+
TO-220
12888
原厂代理 终端免费提供样品
恩XP
23+
TO-TO-220
53500
原厂授权代理,海外优势订货渠道。可提供大量库存,详
FAIRCHILD/仙童
23+
TO-252(DPAK)
69820
终端可以免费供样,支持BOM配单!
恩XP
22+
TO-220
92083

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