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BDT32B晶体管资料

  • BDT32B别名:BDT32B三极管、BDT32B晶体管、BDT32B晶体三极管

  • BDT32B生产厂家:英国Mullard有限公司

  • BDT32B制作材料:Si-PNP

  • BDT32B性质:开关管 (S)_功率放大 (L)

  • BDT32B封装形式:直插封装

  • BDT32B极限工作电压:80V

  • BDT32B最大电流允许值:3A

  • BDT32B最大工作频率:<1MHZ或未知

  • BDT32B引脚数:3

  • BDT32B最大耗散功率:40W

  • BDT32B放大倍数

  • BDT32B图片代号:B-44

  • BDT32Bvtest:80

  • BDT32Bhtest:999900

  • BDT32Batest:3

  • BDT32Bwtest:40

  • BDT32B代换 BDT32B用什么型号代替:3CD6C,

型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
BDT32B

isc Silicon PNP Power Transistors

文件:117.75 Kbytes Page:2 Pages

ISC

无锡固电

BDT32B

Silicon PNP Power Transistors

文件:130.3 Kbytes Page:2 Pages

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新泽西半导体新泽西半导体公司

Silicon PNP Power Transistors

文件:133.98 Kbytes Page:2 Pages

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新泽西半导体新泽西半导体公司

Trans GP BJT PNP 80V 3A

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新泽西半导体新泽西半导体公司

isc Silicon PNP Power Transistors

文件:118.23 Kbytes Page:2 Pages

ISC

无锡固电

BDT32B产品属性

  • 类型

    描述

  • Configuration:

    Single

  • Material:

    Si

  • Maximum Collector Base Voltage:

    120V

  • Maximum Collector Emitter Saturation Voltage:

    1.2@0.375A@3AV

  • Maximum Collector Emitter Voltage:

    80V

  • Maximum DC Collector Current:

    3A

  • Maximum Emitter Base Voltage:

    5V

  • Maximum Operating Temperature:

    150ᄀC

  • Maximum Power Dissipation:

    22000mW

  • Maximum Transition Frequency:

    3(Min)MHz

  • Type:

    PNP

更新时间:2026-5-14 16:22:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ON/安森美
25+
SOT23
15000
全新原装现货,价格优势
24+
TO-220
10000
全新
恩XP
23+
TO-220F
11846
一级代理商现货批发,原装正品,假一罚十
恩XP
2022+
TO-220
12888
原厂代理 终端免费提供样品
JINGDAO/晶导微
23+
MBF
69820
终端可以免费供样,支持BOM配单!
恩XP
23+
TO-220
80660
原厂授权代理,海外优势订货渠道。可提供大量库存,详
恩XP
22+
TO-220F
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