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BDC01D晶体管资料

  • BDC01D别名:BDC01D三极管、BDC01D晶体管、BDC01D晶体三极管

  • BDC01D生产厂家:美国摩托罗拉半导体公司

  • BDC01D制作材料:Si-NPN

  • BDC01D性质:低频或音频放大 (LF)_功率放大 (L)

  • BDC01D封装形式:直插封装

  • BDC01D极限工作电压:100V

  • BDC01D最大电流允许值:1.5A

  • BDC01D最大工作频率:<1MHZ或未知

  • BDC01D引脚数:3

  • BDC01D最大耗散功率:2.5W

  • BDC01D放大倍数:β=400

  • BDC01D图片代号:A-20

  • BDC01Dvtest:100

  • BDC01Dhtest:999900

  • BDC01Datest:1.5

  • BDC01Dwtest:2.5

  • BDC01D代换 BDC01D用什么型号代替

型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
BDC01D

One Watt Amplifier Transistor

One Watt Amplifier Transistor NPN Silicon

MOTOROLA

摩托罗拉

BDC01D

One Watt Amplifier Transistor(NPN Silicon)

One Watt Amplifier Transistor NPN Silicon

ONSEMI

安森美半导体

BDC01D

One Watt Amplifier Transistor(NPN Silicon)

ONSEMI

安森美半导体

封装/外壳:TO-226-3,TO-92-3 长基体(成形引线) 包装:卷带(TR) 描述:TRANS NPN 100V 0.5A TO92 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

ONSEMI

安森美半导体

BDC01D产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    BDC01D

  • 功能描述

    两极晶体管 - BJT 1.5A 100V NPN

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    PNP 集电极—基极电压

  • VCBO

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    - 40 V 发射极 - 基极电压

  • VEBO

    - 6 V

  • 增益带宽产品fT

    直流集电极/Base Gain hfe

  • Min

    100 A

  • 安装风格

    SMD/SMT

  • 封装/箱体

    PowerFLAT 2 x 2

更新时间:2026-5-14 11:10:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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