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BD809晶体管资料

  • BD809别名：BD809三极管、BD809晶体管、BD809晶体三极管

  • BD809生产厂家：美国摩托罗拉半导体公司

  • BD809制作材料：Si-NPN

  • BD809性质：低频或音频放大 （LF）_功率放大 （L）

  • BD809封装形式：直插封装

  • BD809极限工作电压：80V

  • BD809最大电流允许值：10A

  • BD809最大工作频率：<1MHZ或未知

  • BD809引脚数：3

  • BD809最大耗散功率：90W

  • BD809放大倍数：

  • BD809图片代号：B-10

  • BD809vtest：80

  • BD809htest：999900

  • BD809atest：10

  • BD809wtest：90

  • BD809代换 BD809用什么型号代替：BD545C,BD709,3DD164B,

BD809价格

参考价格：￥2.4595

型号：BD809G 品牌：ON 备注：这里有BD809多少钱，2026年最近7天走势，今日出价，今日竞价，BD809批发/采购报价，BD809行情走势销售排行榜，BD809报价。
型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
BD809

POWER TRANSISTORS PNP SILICON

Plastic High Power Silicon Transistor These devices are designed for use in high power audio amplifiers utilizing complementary or quasi complementary circuits. Features • DC Current Gain - hFE = 30 (Min) @ IC = 2.0 Adc • Pb-Free Packages are Available*

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安森美半导体

BD809

Silicon NPN Power Transistors

DESCRIPTION ··With TO-220C package ·Complement to type BD810 ·DC current gain : hFE = 30 (Min) @ IC = 2.0 Adc APPLICATIONS ·Designed for use in high power audio amplifiers utilizing complementary or quasi complementary circuits.

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Silicon NPN Power Transistors

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ISC

无锡固电

BD809

Silicon NPN Power Transistor

DESCRIPTION • DC Current Gain - : hFE=30@lc=2A • Collector-Emitter Sustaining Voltage- : VCEO(sus)= 80V(Min) • Complement to Type BD810 APPLICATIONS • Designed for use in high power audio amplifiers utilizing complementary or quasi complementary circuits.

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新泽西半导体新泽西半导体公司

BD809

Plastic High Power Silicon Transistors

文件：95 Kbytes Page：4 Pages

ONSEMI

安森美半导体

BD809

High Power NPN Bipolar Transistor

ONSEMI

安森美半导体

BD809

Plastic High Power Silicon Transistor

文件：86.03 Kbytes Page：5 Pages

ONSEMI

安森美半导体

BD809_07

Plastic High Power Silicon Transistor

文件：86.03 Kbytes Page：5 Pages

ONSEMI

安森美半导体

BD809_14

Plastic High Power Silicon Transistors

文件：95 Kbytes Page：4 Pages

ONSEMI

安森美半导体

BD809G

Plastic High Power Silicon Transistor

文件：86.03 Kbytes Page：5 Pages

ONSEMI

安森美半导体

BD809G

封装/外壳：TO-220-3 包装：卷带（TR） 描述：TRANS NPN 80V 10A TO220 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个

ONSEMI

安森美半导体

809A

Audio Broadcast Quality 800A Series

Features Deep-drawn steel case with tin plated finish, with two convenient 6-32 mounting studs with hardware. Includes wire leads (minimum length of 4). Frequency response +/- 0.5 db max. from 50 Hz. to 15 Khz. Insertion loss of apx. 1 db. Maximum power level +15 dbm. (except 841A, 842A & 84

HAMMONDHammond Manufacturing Company Limited

哈蒙德哈蒙德制造有限公司

ACE809

3-Pin Microprocessor Reset Circuits

文件：308.56 Kbytes Page：5 Pages

ACE

ACE809

3-Pin Microprocessor Reset Circuits

文件：200.48 Kbytes Page：6 Pages

ACE

ACE809JBM+H

3-Pin Microprocessor Reset Circuits

文件：200.48 Kbytes Page：6 Pages

ACE

ACE809JBM+H

3-Pin Microprocessor Reset Circuits

文件：308.56 Kbytes Page：5 Pages

ACE

BD809产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    BD809

  • 功能描述

    两极晶体管 - BJT 10A 80V 90W NPN

  • RoHS

    否

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    PNP 集电极—基极电压

  • VCBO

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    - 40 V 发射极 - 基极电压

  • VEBO

    - 6 V

  • 增益带宽产品fT

    直流集电极/Base Gain hfe

  • Min

    100 A

  • 安装风格

    SMD/SMT

  • 封装/箱体

    PowerFLAT 2 x 2

BD809供应商更多...

更新时间：2026-1-1 9:19:00
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