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BD809晶体管资料
BD809别名：BD809三极管、BD809晶体管、BD809晶体三极管
BD809生产厂家：美国摩托罗拉半导体公司
BD809制作材料：Si-NPN
BD809性质：低频或音频放大 （LF）_功率放大 （L）
BD809封装形式：直插封装
BD809极限工作电压：80V
BD809最大电流允许值：10A
BD809最大工作频率：<1MHZ或未知
BD809引脚数：3
BD809最大耗散功率：90W
BD809放大倍数：
BD809图片代号：B-10
BD809vtest：80
BD809htest：999900
- BD809atest：10
BD809wtest：90
BD809代换 BD809用什么型号代替：BD545C,BD709,3DD164B,
BD809价格
参考价格：￥2.4595
型号：BD809G 品牌：ON 备注：这里有BD809多少钱，2025年最近7天走势，今日出价，今日竞价，BD809批发/采购报价，BD809行情走势销售排行榜，BD809报价。| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
BD809 | POWER TRANSISTORS PNP SILICON Plastic High Power Silicon Transistor These devices are designed for use in high power audio amplifiers utilizing complementary or quasi complementary circuits. Features • DC Current Gain - hFE = 30 (Min) @ IC = 2.0 Adc • Pb-Free Packages are Available* | ONSEMI 安森美半导体 |   | |
BD809 | Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION ··With TO-220C package ·Complement to type BD810 ·DC current gain : hFE = 30 (Min) @ IC = 2.0 Adc APPLICATIONS ·Designed for use in high power audio amplifiers utilizing complementary or quasi complementary circuits. | SAVANTIC | | |
BD809 | Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION ·With TO-220C package ·Complement to type BD810 ·DC current gain : hFE = 30 (Min) @ IC = 2.0 Adc APPLICATIONS ·Designed for use in high power audio amplifiers utilizing complementary or quasi complementary circuits. | ISC 无锡固电 | | |
BD809 | Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION • DC Current Gain - : hFE=30@lc=2A • Collector-Emitter Sustaining Voltage- : VCEO(sus)= 80V(Min) • Complement to Type BD810 APPLICATIONS • Designed for use in high power audio amplifiers utilizing complementary or quasi complementary circuits. | NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司 | | |
BD809 | Plastic High Power Silicon Transistors 文件：95 Kbytes Page：4 Pages | ONSEMI 安森美半导体 | | |
BD809 | Plastic High Power Silicon Transistor 文件：86.03 Kbytes Page：5 Pages | ONSEMI 安森美半导体 | | |
Plastic High Power Silicon Transistor 文件：86.03 Kbytes Page：5 Pages | ONSEMI 安森美半导体 | | ||
Plastic High Power Silicon Transistors 文件：95 Kbytes Page：4 Pages | ONSEMI 安森美半导体 | | ||
Plastic High Power Silicon Transistor 文件：86.03 Kbytes Page：5 Pages | ONSEMI 安森美半导体 | | ||
封装/外壳：TO-220-3 包装：卷带（TR） 描述：TRANS NPN 80V 10A TO220 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个 | ONSEMI 安森美半导体 | | ||
Audio Broadcast Quality 800A Series Features Deep-drawn steel case with tin plated finish, with two convenient 6-32 mounting studs with hardware. Includes wire leads (minimum length of 4). Frequency response +/- 0.5 db max. from 50 Hz. to 15 Khz. Insertion loss of apx. 1 db. Maximum power level +15 dbm. (except 841A, 842A & 84 | HAMMONDHammond Manufacturing Company Limited 哈蒙德哈蒙德制造有限公司 | | ||
3-Pin Microprocessor Reset Circuits 文件：308.56 Kbytes Page：5 Pages | ACE | | ||
3-Pin Microprocessor Reset Circuits 文件：200.48 Kbytes Page：6 Pages | ACE | | ||
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BD809产品属性
- 类型
描述
- 型号
BD809
- 功能描述
两极晶体管 - BJT 10A 80V 90W NPN
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶体管极性
PNP 集电极—基极电压
- VCBO
集电极—发射极最大电压
- VCEO
- 40 V 发射极 - 基极电压
- VEBO
- 6 V
- 增益带宽产品fT
直流集电极/Base Gain hfe
- Min
100 A
- 安装风格
SMD/SMT
- 封装/箱体
PowerFLAT 2 x 2
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
onsemi(安森美) |
24+ |
TO-220 |
942 |
原厂订货渠道,支持BOM配单一站式服务 |
|||
FAIRCHILD/仙童 |
24+ |
TO 220 |
155804 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
|||
ON |
11+ |
TO-220 |
750 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
|||
ROHM/罗姆 |
23+ |
TO220FP-5 |
24500 |
罗姆全系列在售 |
|||
ROHM |
SMDDIP |
185600 |
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货 |
||||
24+ |
TO-220 |
10000 |
全新 |
||||
ROHM |
24+ |
N/A |
90000 |
一级代理商进口原装现货、价格合理 |
|||
ON |
2025+ |
TO-220AB |
3577 |
全新原厂原装产品、公司现货销售 |
|||
三年内 |
1983 |
只做原装正品 |
|||||
ON/安森美 |
2447 |
SMD |
100500 |
一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货 |
BD809规格书下载地址
BD809参数引脚图相关
- C80
- c62f
- c430p
- c3055
- c3000
- c2073
- c20001
- c2000
- c188
- c1209
- c1008
- c1000
- bul128a
- bul128
- bu406
- bq5
- biss0001
- bga
- bf419
- BDM
- BD840T
- BD840S
- BD840CT
- BD840CS
- BD840
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2020-3-5BD8110FV-E2全新原装现货
可立即发货
2019-9-20
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