位置：首页 > IC中文资料第1639页 > BD809
BD809晶体管资料
BD809别名：BD809三极管、BD809晶体管、BD809晶体三极管
BD809生产厂家：美国摩托罗拉半导体公司
BD809制作材料：Si-NPN
BD809性质：低频或音频放大 （LF）_功率放大 （L）
BD809封装形式：直插封装
BD809极限工作电压：80V
BD809最大电流允许值：10A
BD809最大工作频率：<1MHZ或未知
BD809引脚数：3
BD809最大耗散功率：90W
BD809放大倍数：
BD809图片代号：B-10
BD809vtest：80
BD809htest：999900
- BD809atest：10
BD809wtest：90
BD809代换 BD809用什么型号代替：BD545C,BD709,3DD164B,
BD809价格
参考价格：￥2.4595
型号：BD809G 品牌：ON 备注：这里有BD809多少钱，2025年最近7天走势，今日出价，今日竞价，BD809批发/采购报价，BD809行情走势销售排行榜，BD809报价。| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
BD809 | POWER TRANSISTORS PNP SILICON Plastic High Power Silicon Transistor These devices are designed for use in high power audio amplifiers utilizing complementary or quasi complementary circuits. Features • DC Current Gain - hFE = 30 (Min) @ IC = 2.0 Adc • Pb-Free Packages are Available* | ONSEMI 安森美半导体 |   | |
BD809 | Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION ··With TO-220C package ·Complement to type BD810 ·DC current gain : hFE = 30 (Min) @ IC = 2.0 Adc APPLICATIONS ·Designed for use in high power audio amplifiers utilizing complementary or quasi complementary circuits. | SAVANTIC | | |
BD809 | Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION ·With TO-220C package ·Complement to type BD810 ·DC current gain : hFE = 30 (Min) @ IC = 2.0 Adc APPLICATIONS ·Designed for use in high power audio amplifiers utilizing complementary or quasi complementary circuits. | ISC 无锡固电 | | |
BD809 | Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION • DC Current Gain - : hFE=30@lc=2A • Collector-Emitter Sustaining Voltage- : VCEO(sus)= 80V(Min) • Complement to Type BD810 APPLICATIONS • Designed for use in high power audio amplifiers utilizing complementary or quasi complementary circuits. | NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司 | | |
BD809 | Plastic High Power Silicon Transistors 文件：95 Kbytes Page：4 Pages | ONSEMI 安森美半导体 | | |
BD809 | Plastic High Power Silicon Transistor 文件：86.03 Kbytes Page：5 Pages | ONSEMI 安森美半导体 | | |
Plastic High Power Silicon Transistor 文件：86.03 Kbytes Page：5 Pages | ONSEMI 安森美半导体 | | ||
Plastic High Power Silicon Transistors 文件：95 Kbytes Page：4 Pages | ONSEMI 安森美半导体 | | ||
Plastic High Power Silicon Transistor 文件：86.03 Kbytes Page：5 Pages | ONSEMI 安森美半导体 | | ||
封装/外壳：TO-220-3 包装：卷带（TR） 描述：TRANS NPN 80V 10A TO220 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个 | ONSEMI 安森美半导体 | | ||
Audio Broadcast Quality 800A Series Features Deep-drawn steel case with tin plated finish, with two convenient 6-32 mounting studs with hardware. Includes wire leads (minimum length of 4). Frequency response +/- 0.5 db max. from 50 Hz. to 15 Khz. Insertion loss of apx. 1 db. Maximum power level +15 dbm. (except 841A, 842A & 84 | HAMMONDHammond Manufacturing Company Limited 哈蒙德哈蒙德制造有限公司 | | ||
3-Pin Microprocessor Reset Circuits 文件：308.56 Kbytes Page：5 Pages | ACE | | ||
3-Pin Microprocessor Reset Circuits 文件：200.48 Kbytes Page：6 Pages | ACE | | ||
3-Pin Microprocessor Reset Circuits 文件：200.48 Kbytes Page：6 Pages | ACE | | ||
3-Pin Microprocessor Reset Circuits 文件：308.56 Kbytes Page：5 Pages | ACE | |
BD809产品属性
- 类型
描述
- 型号
BD809
- 功能描述
两极晶体管 - BJT 10A 80V 90W NPN
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶体管极性
PNP 集电极—基极电压
- VCBO
集电极—发射极最大电压
- VCEO
- 40 V 发射极 - 基极电压
- VEBO
- 6 V
- 增益带宽产品fT
直流集电极/Base Gain hfe
- Min
100 A
- 安装风格
SMD/SMT
- 封装/箱体
PowerFLAT 2 x 2
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
FAIRCHILD/仙童 |
24+ |
TO 220 |
155804 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
|||
ON |
1738+ |
TO-220 |
8529 |
科恒伟业!只做原装正品,假一赔十! |
|||
ON |
11+ |
TO-220 |
750 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
|||
ROHM/罗姆 |
23+ |
TO220FP-5 |
24500 |
罗姆全系列在售 |
|||
ROHM |
21+ |
TO263-3F |
21000 |
一级代理进口原装!长期供应!绝对优势价格(诚信经营 |
|||
MOTO |
23+ |
NA |
710 |
专做原装正品,假一罚百! |
|||
ON |
25+ |
TO220BPLRPBF |
188600 |
全新原厂原装正品现货 欢迎咨询 |
|||
ROHM |
SMDDIP |
185600 |
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货 |
||||
ON |
2025+ |
TO-220AB |
3577 |
全新原厂原装产品、公司现货销售 |
|||
ROHM |
24+ |
N/A |
90000 |
一级代理商进口原装现货、价格合理 |
BD809芯片相关品牌
BD809规格书下载地址
BD809参数引脚图相关
- C80
- c62f
- c430p
- c3055
- c3000
- c2073
- c20001
- c2000
- c188
- c1209
- c1008
- c1000
- bul128a
- bul128
- bu406
- bq5
- biss0001
- bga
- bf419
- BDM
- BD840T
- BD840S
- BD840CT
- BD840CS
- BD840
- BD839
- BD838
- BD837
- BD836
- BD835
- BD834
- BD833
- BD830(-6...-25)
- BD830
- BD829(-6...-25)
- BD829
- BD828(-6...-25)
- BD828
- BD827(-6...-25)
- BD827
- BD826(-6...-25)
- BD825(-6...-25)
- BD825
- BD8200T
- BD8200S
- BD818
- BD817
- BD816
- BD8150T
- BD8150S
- BD815
- BD814
- BD813
- BD810G
- BD8100T
- BD8100S
- BD810
- BD809G
- BD808
- BD807
- BD806
- BD805
- BD802
- BD801
- BD800
- BD799
- BD798
- BD797
- BD796
- BD795
- BD7931F
- BD792
- BD791
- BD790
- BD789
- BD788G
- BD788
- BD787G
- BD787
- BD786
- BD785
BD809数据表相关新闻
BD82HM65移动式芯片组
BD82HM65采用单芯片架构，主要应用于笔记本电脑等移动设备
2025-7-7BD733L5FP-CE2
BD733L5FP-CE2
2023-4-23BD8325FVT-ME2 原装现货 价格优势出
公司只做原装 以质量求生存，以诚信谋发展
2022-6-1BD800M5可调输出汽车LDO, BD800M5WHFP-CTR
ROHM Semiconductors的BD800M5 AEC-Q100 LDO可以非常高精度地调节输出
2020-6-9BD71850MWV-E2用于i.MX8MNano的BD71850MWV系统PMICBD71850MWV-E2
ROHM Semiconductor 的系统 PMIC 集成了 i.MX 8M Nano 处理器和系统外围设备所需的所有电源轨
2020-3-5BD8110FV-E2全新原装现货
可立即发货
2019-9-20
DdatasheetPDF页码索引
- P1
- P2
- P3
- P4
- P5
- P6
- P7
- P8
- P9
- P10
- P11
- P12
- P13
- P14
- P15
- P16
- P17
- P18
- P19
- P20
- P21
- P22
- P23
- P24
- P25
- P26
- P27
- P28
- P29
- P30
- P31
- P32
- P33
- P34
- P35
- P36
- P37
- P38
- P39
- P40
- P41
- P42
- P43
- P44
- P45
- P46
- P47
- P48
- P49
- P50
- P51
- P52
- P53
- P54
- P55
- P56
- P57
- P58
- P59
- P60
- P61
- P62
- P63
- P64
- P65
- P66
- P67
- P68
- P69
- P70
- P71
- P72
- P73
- P74
- P75
- P76
- P77
- P78
- P79
- P80
- P81
- P82
- P83
- P84
- P85
- P86
- P87
- P88
- P89
- P90
- P91
- P92
- P93
- P94
- P95
- P96
- P97
- P98
- P99
- P100
- P101
- P102
- P103
