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BD644晶体管资料
BD644别名：BD644三极管、BD644晶体管、BD644晶体三极管
BD644生产厂家：德国AEG公司_德国西门子AG公司_德国凡尔伏公司
BD644制作材料：Si-P+Darl+Di
BD644性质：低频或音频放大 （LF）_功率放大 （L）
BD644封装形式：直插封装
BD644极限工作电压：45V
BD644最大电流允许值：8A
BD644最大工作频率：>10MHZ
BD644引脚数：3
BD644最大耗散功率：62.5W
BD644放大倍数：β>750
BD644图片代号：B-10
BD644vtest：45
BD644htest：10000100
- BD644atest：8
BD644wtest：62.5
BD644代换 BD644用什么型号代替：BD696,BD896,BDW74,BDX34,BDX54,FC50A,
| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
BD644 | isc Silicon PNP Darlington Power Transistor DESCRIPTION • Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= -45V(Min) • High DC Current Gain : hFE= 750(Min) @IC= -3A • Low Saturation Voltage • Complement to Type BD643 APPLICATIONS • Designed for use as complementary AF push-pull output stage applications | ISC 无锡固电 |   | |
BD644 | Silicon PNP Darlington Power Transistor DESCRIPTION • Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= -45V(Min) • High DC Current Gain : hFE= 750(Min) @IC= -3A • Low Saturation Voltage • Complement to Type BD643 APPLICATIONS • Designed for use as complementary AF push-pull output stage applications | NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司 | | |
BD644 | NPN SILICON DARLINGTON TRANSISTORS NPN SILICON DARLINGTON TRANSISTORS | SIEMENS 西门子 | | |
BD644 | SILICON DARLINGTON POWER TRANSISTORS SILICON DARLINGTON POWER TRANSISTORS PNP epitaxial-base transistors in a monolithic Dalrington circuit and housed in a TO-220 enveloppe. They are intended for output stages in audio equipment, general amplifiers, and analogue switching application. NPN complements are BD643, BD645, BD647 | COMSET | | |
BD644 | SILICON DARLINGTON POWER TRANSISTORS 文件：111.79 Kbytes Page：5 Pages | COMSET | | |
BD644 | Transistor | COMSET | | |
SILICON DARLINGTON POWER TRANSISTORS 文件：111.79 Kbytes Page：5 Pages | COMSET | | ||
RF POWER TRANSISTOR NPN SILICON The RF Line NPN Silicon RF Power Transistor . . . designed for 12.5 Volt UHF large–signal amplifier applications in industrial and commercial FM equipment operating to 512 MHz. • Specified 12.5 Volt, 470 MHz Characteristics — Output Power = 25 Watts Minimum Gain = 6.2 dB Efficie | MOTOROLA 摩托罗拉 | | ||
Military DC-DC Power Supplies 文件：150.47 Kbytes Page：4 Pages | VICOR | | ||
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BD644产品属性
- 类型
描述
- 型号
BD644
- 制造商
ISC
- 制造商全称
Inchange Semiconductor Company Limited
- 功能描述
isc Silicon PNP Darlington Power Transistor
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST/意法 |
23+ |
TO-220 |
128656 |
原厂授权代理,海外优势订货渠道。可提供大量库存,详 |
|||
26+ |
N/A |
57000 |
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择 |
||||
POWER |
2447 |
TO-220 |
100500 |
一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货 |
|||
PHI |
23+ |
TO-220 |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
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Rohm(罗姆) |
23+ |
NA |
20094 |
正纳10年以上分销经验原装进口正品做服务做口碑有支持 |
|||
ST |
26+ |
TO-220 |
60000 |
只有原装 可配单 |
|||
24+ |
TO-220FA |
10000 |
全新 |
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ST |
24+ |
TO-220 |
25000 |
只做原装正品现货 欢迎来电查询15919825718 |
|||
ST |
2026+ |
TO-220 |
24 |
原装正品 假一罚十! |
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P |
23+ |
TO-220 |
197 |
BD644规格书下载地址
BD644参数引脚图相关
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2021-9-16BD63241FV-E2
深圳市科恒伟业电子有限公司 深圳市福田区华强北振兴路101号华匀大厦2栋5楼516 网站 http://www.kehengweiyedz.cn 网站http://www.kehengweiye.com 邮箱：yulin522@126.com 0755-83200050 15817287769 柯先生
2020-4-25BD71850MWV-E2用于i.MX8MNano的BD71850MWV系统PMICBD71850MWV-E2
ROHM Semiconductor 的系统 PMIC 集成了 i.MX 8M Nano 处理器和系统外围设备所需的所有电源轨
2020-3-5BD71847AMWV-E2适用于i.MX8MMini系列的BD71847AMWV系统PMIC
ROHM的可编程电源管理IC（PMIC）专为单核，双核和四核SoC供电
2019-9-24BD4F5FSLS33-缓冲器/驱动器
LSI逻辑公司提供以下驱动器/接收器输入/输出（的I / O），作为一般用途的I / O缓冲器细胞： •bd4f5fsls33 •bd4puf5fsls33 •bd4puodf5fsls33 •bd4puodf5fscls33 该I / O缓冲器提供芯片外，双向I/ O的applicationspecific信号集成电路（ASIC）的LSI逻辑芯片实现G12号™- P的0.13微米工艺技术。具有类似功能的I / O缓冲器提供一个不同的驱动程序选项的ASIC应用。
2013-3-5
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