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BD616晶体管资料

BD616别名：BD616三极管、BD616晶体管、BD616晶体三极管
BD616生产厂家：德国西门子AG公司
BD616制作材料：Si-PNP
BD616性质：低频或音频放大（LF）_功率放大（L）
BD616封装形式：直插封装
BD616极限工作电压：45V
BD616最大电流允许值：4A
BD616最大工作频率：<1MHZ或未知
BD616引脚数：3
BD616最大耗散功率：15W
BD616放大倍数：
BD616图片代号：B-84
BD616vtest：45
BD616htest：999900
BD616atest：4
BD616wtest：15

BD616代换 BD616用什么型号代替：BD187,BD197,3DD60B,

型号	功能描述	生产厂家企业	LOGO
BD616	PNP SILICON EPIBASE TRANSISTORS 文件：127.4 Kbytes Page：4 Pages	SIEMENS 西门子	SIEMENS
BD6164GUT	面向相机闪光灯的320mA LED驱动器 BD6164GUT是最大可驱动320mA的超小型LED驱动器IC。&通过sup2; BUS I/F，可控制闪光灯模式和手电筒模式。 · Current regulation for LED\n· Flash LED Current driver\n (260mA,280mA,300mA,320mA) \n· Assist Light Function LED Current driver (52mA, 72mA) \n· High efficiency : 85% \n (LED current 300mA, VBAT=3.6V, LED Vf=3.6V, \n 4MHz mode,Ta=25°C)\n· I²C Control I/F \n· Synchronous rectification step-up;	ROHM 罗姆	ROHM
BD6164GUT	320mA LED Camera Flash Driver 文件：558.23 Kbytes Page：21 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
BD6164GUT-E2	320mA LED Camera Flash Driver 文件：558.23 Kbytes Page：21 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
BD6164GUT-E2	包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带描述：IC CAMERA FLASH DVR 60VCSP 集成电路（IC） LED 驱动器	ROHM 罗姆	ROHM
BD616LV4017AC-55	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 256K X 16 bit	BRILLIANCE 华晨汽车	BRILLIANCE
BD616LV4017AC-55	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 256K X 16 bit 文件：265.86 Kbytes Page：10 Pages	BSI 连邦科技	BSI
BD616LV4017AC-70	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 256K X 16 bit 文件：265.86 Kbytes Page：10 Pages	BSI 连邦科技	BSI
BD616LV4017ACG55	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 256K X 16 bit 文件：265.86 Kbytes Page：10 Pages	BSI 连邦科技	BSI
BD616LV4017ACG70	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 256K X 16 bit 文件：265.86 Kbytes Page：10 Pages	BSI 连邦科技	BSI
BD616LV4017ACP55	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 256K X 16 bit 文件：265.86 Kbytes Page：10 Pages	BSI 连邦科技	BSI
BD616LV4017ACP70	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 256K X 16 bit 文件：265.86 Kbytes Page：10 Pages	BSI 连邦科技	BSI
BD616LV4017AI-55	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 256K X 16 bit 文件：265.86 Kbytes Page：10 Pages	BSI 连邦科技	BSI
BD616LV4017AI-70	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 256K X 16 bit 文件：265.86 Kbytes Page：10 Pages	BSI 连邦科技	BSI
BD616LV4017AIG55	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 256K X 16 bit 文件：265.86 Kbytes Page：10 Pages	BSI 连邦科技	BSI
BD616LV4017AIG70	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 256K X 16 bit 文件：265.86 Kbytes Page：10 Pages	BSI 连邦科技	BSI
BD616LV4017AIP55	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 256K X 16 bit 文件：265.86 Kbytes Page：10 Pages	BSI 连邦科技	BSI
BD616LV4017AIP70	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 256K X 16 bit 文件：265.86 Kbytes Page：10 Pages	BSI 连邦科技	BSI
BD616LV4017DC-55	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 256K X 16 bit 文件：265.86 Kbytes Page：10 Pages	BSI 连邦科技	BSI
BD616LV4017DC-70	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 256K X 16 bit 文件：265.86 Kbytes Page：10 Pages	BSI 连邦科技	BSI
BD616LV4017DCG55	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 256K X 16 bit 文件：265.86 Kbytes Page：10 Pages	BSI 连邦科技	BSI
BD616LV4017DCG70	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 256K X 16 bit 文件：265.86 Kbytes Page：10 Pages	BSI 连邦科技	BSI
BD616LV4017DCP55	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 256K X 16 bit 文件：265.86 Kbytes Page：10 Pages	BSI 连邦科技	BSI
BD616LV4017DCP70	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 256K X 16 bit 文件：265.86 Kbytes Page：10 Pages	BSI 连邦科技	BSI
BD616LV4017DI-55	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 256K X 16 bit 文件：265.86 Kbytes Page：10 Pages	BSI 连邦科技	BSI
BD616LV4017DI-70	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 256K X 16 bit 文件：265.86 Kbytes Page：10 Pages	BSI 连邦科技	BSI
BD616LV4017DIG55	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 256K X 16 bit 文件：265.86 Kbytes Page：10 Pages	BSI 连邦科技	BSI
BD616LV4017DIG70	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 256K X 16 bit 文件：265.86 Kbytes Page：10 Pages	BSI 连邦科技	BSI
BD616LV4017DIP55	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 256K X 16 bit 文件：265.86 Kbytes Page：10 Pages	BSI 连邦科技	BSI
BD616LV4017DIP70	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 256K X 16 bit 文件：265.86 Kbytes Page：10 Pages	BSI 连邦科技	BSI
BD616LV4017EC-55	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 256K X 16 bit 文件：265.86 Kbytes Page：10 Pages	BSI 连邦科技	BSI
BD616LV4017EC-70	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 256K X 16 bit 文件：265.86 Kbytes Page：10 Pages	BSI 连邦科技	BSI
BD616LV4017ECG55	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 256K X 16 bit 文件：265.86 Kbytes Page：10 Pages	BSI 连邦科技	BSI
BD616LV4017ECG70	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 256K X 16 bit 文件：265.86 Kbytes Page：10 Pages	BSI 连邦科技	BSI
BD616LV4017ECP55	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 256K X 16 bit 文件：265.86 Kbytes Page：10 Pages	BSI 连邦科技	BSI
BD616LV4017ECP70	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 256K X 16 bit 文件：265.86 Kbytes Page：10 Pages	BSI 连邦科技	BSI
BD616LV4017EI-55	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 256K X 16 bit 文件：265.86 Kbytes Page：10 Pages	BSI 连邦科技	BSI
BD616LV4017EI-70	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 256K X 16 bit 文件：265.86 Kbytes Page：10 Pages	BSI 连邦科技	BSI
BD616LV4017EIG55	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 256K X 16 bit 文件：265.86 Kbytes Page：10 Pages	BSI 连邦科技	BSI
BD616LV4017EIG70	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 256K X 16 bit 文件：265.86 Kbytes Page：10 Pages	BSI 连邦科技	BSI
BD616LV4017EIP55	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 256K X 16 bit 文件：265.86 Kbytes Page：10 Pages	BSI 连邦科技	BSI
BD616LV4017EIP70	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 256K X 16 bit 文件：265.86 Kbytes Page：10 Pages	BSI 连邦科技	BSI
NTE616	Varactor Diode Description: The NTE616 is a silicon varactor diode used in VHF electronics tuners. This device is available as matched sets of four in standard DO35 cases.	NTE	NTE
SA616	Low-voltage high performance mixer FM IF system DESCRIPTION The SA616 is a low-voltage high performance monolithic FM IF system incorporating a mixer/oscillator, two limiting intermediate frequency amplifiers, quadrature detector, logarithmic received signal strength indicator (RSSI), voltage regulator and audio and RSSI op amps. The SA616 i	PHILIPS 飞利浦	PHILIPS
SA616DK	Low-voltage high performance mixer FM IF system DESCRIPTION The SA616 is a low-voltage high performance monolithic FM IF system incorporating a mixer/oscillator, two limiting intermediate frequency amplifiers, quadrature detector, logarithmic received signal strength indicator (RSSI), voltage regulator and audio and RSSI op amps. The SA616 i	PHILIPS 飞利浦	PHILIPS
STD616A	HIGH VOLTAGE NPN POWER TRANSISTOR DESCRIPTION The STD616A is manufactured using High Voltage Multi Epitaxial Planar technology for high switching speeds and high voltage withstand capability. ■ REVERSE PINS OUT Vs STANDARD IPAK (TO-251) / DPAK (TO-252) PACKAGES ■ HIGH VOLTAGE CAPABILITY ■ HIGH DC CURRENT GAIN ■ THROUGH-HO	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
TYN616RG	16A SCRs DESCRIPTION The TYN / TN16 SCR Series is suitable for general purpose applications. Using clip assembly technology, they provide a superior performance in surge current capabilities.	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS

BD616产品属性

类型
描述
Status：
推荐品
封装：
VCSP60N1
包装数量：
3000
最小独立包装数量：
3000
包装形态：
Taping
RoHS：
Yes
Topology：
Boost
Number of Outputs：
1
Vin(Min.)[V]：
2.7
Vin(Max.)[V]：
4.5
Output Current(Max.)[mA]：
320.0
Per Channel Drive(Max.)[mA]：
320.0
Switch Current Limit(Typ.)[A]：
0.8
Vout(Max.)[V]：
4.7
Frequency(Max.)[MHz]：
4.0
Data Input：
I2C
LED Configuration：
1
LDO：
No
Auto Luminous Control：
No
Synchronous：
Yes
Integrated FET：
Yes
Peak Efficiency[%]：
85
Operating Temperature (Min.)[°C]：
-30
Operating Temperature (Max.)[°C]：
85

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更新时间：2026-5-15 20:00:00

IC供应商	芯片型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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深圳市创新迹电子有限公司	BD6164GUT-E2	ROHM	22+	QFN	20000	公司只有原装品质保证	询价
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深圳市科恒伟业电子有限公司	BD6164GUT-E2	ROHM/罗姆	2450+	QFN	8850	只做原装正品假一赔十为客户做到零风险!!	询价
深圳市胜彬电子有限公司	BD6164GUT-E2	ROHM/罗姆	22+	VCSP60N1	8000	原装正品支持实单	询价
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