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芯片资料

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DMN6068SE	N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET GENERALFEATURES 60V,4A,Rps(on)=85mQ@Vgs=10V. Rpsion)=100mQ@Vgs=4.5V. HighdensecelldesignforextremelylowRps(on)- Ruggedandreliable. Leadfreeproductisacquired. SOT-223package.	TECHPUBLICTECH PUBLIC Electronics co LTD 台舟電子台舟電子股份有限公司
CBM6068	CommonModeChokeCoils 文件：252.24 Kbytes Page：1 Pages	SUMIDA Sumida America Components Inc.
DMN6068SE	60VN-CHANNELENHANCEMENTMODEMOSFET 文件：642.84 Kbytes Page：9 Pages	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技
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BD6068GUT供应商更多...

更新时间：2024-5-21 22:49:00

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BD6232FP-E2电机驱动/控制器
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2021-9-16
BD49K25G-TL功能描述BD49K25G-TL原装正品现货
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2020-6-5
BD4842G-TR WTC6106BSI
原装正品，价格优势
2020-6-4
BD63241FV-E2
深圳市科恒伟业电子有限公司深圳市福田区华强北振兴路101号华匀大厦2栋5楼516网站http://www.kehengweiyedz.cn网站http://www.kehengweiye.com邮箱：yulin522@126.com0755-8320005015817287769柯先生
2020-4-25
BD71847AMWV-E2适用于i.MX8MMini系列的BD71847AMWV系统PMIC
ROHM的可编程电源管理IC（PMIC）专为单核，双核和四核SoC供电
2019-9-24
BD4F5FSLS33-缓冲器/驱动器
LSI逻辑公司提供以下驱动器/接收器输入/输出（的I/O），作为一般用途的I/O缓冲器细胞：•bd4f5fsls33•bd4puf5fsls33•bd4puodf5fsls33•bd4puodf5fscls33该I/O缓冲器提供芯片外，双向I/O的applicationspecific信号集成电路（ASIC）的LSI逻辑芯片实现G12号™-P的0.13微米工艺技术。具有类似功能的I/O缓冲器提供一个不同的驱动程序选项的ASIC应用。
2013-3-5