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位置：首页 > IC中文资料第3155页 > BD539C

BD539C晶体管资料

  • BD539C别名：BD539C三极管、BD539C晶体管、BD539C晶体三极管

  • BD539C生产厂家：美国得克萨斯仪表公司

  • BD539C制作材料：Si-NPN

  • BD539C性质：低频或音频放大 （LF）_功率放大 （L）

  • BD539C封装形式：直插封装

  • BD539C极限工作电压：100V

  • BD539C最大电流允许值：5A

  • BD539C最大工作频率：<1MHZ或未知

  • BD539C引脚数：3

  • BD539C最大耗散功率：45W

  • BD539C放大倍数：

  • BD539C图片代号：B-10

  • BD539Cvtest：100

  • BD539Chtest：999900

  • BD539Catest：5

  • BD539Cwtest：45

  • BD539C代换 BD539C用什么型号代替：BD243C,BD543C,BD601,3DD64D,

型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
BD539C

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NPNSILICONPOWERTRANSISTORS ●DesignedforComplementaryUsewiththeBD540Series ●45Wat25°CCaseTemperature ●5AContinuousCollectorCurrent ●Upto120VVCEOrating

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Power Innovations Ltd

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BD539C

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iscSiliconNPNPowerTransistor

文件：249.79 Kbytes Page：2 Pages

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无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

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封装/外壳：TO-220-3 包装：管件 描述：TRANS NPN 100V 5A TO220 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个

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BD539C产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    BD539C

  • 功能描述

    两极晶体管 - BJT 45W NPN Silicon

  • RoHS

    否

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    PNP 集电极—基极电压

  • VCBO

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    - 40 V 发射极 - 基极电压

  • VEBO

    - 6 V

  • 增益带宽产品fT

    直流集电极/Base Gain hfe

  • Min

    100 A

  • 安装风格

    SMD/SMT

  • 封装/箱体

    PowerFLAT 2 x 2

BD539C供应商更多...

更新时间：2025-8-4 11:49:00
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  • WEITRON

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