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BD435G价格

参考价格:¥1.2879

型号:BD435G 品牌:ONSemi 备注:这里有BD435G多少钱,2026年最近7天走势,今日出价,今日竞价,BD435G批发/采购报价,BD435G行情走势销售排行榜,BD435G报价。
型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
BD435G

Plastic Medium-Power Silicon NPN Transistors

Plastic Medium Power Silicon NPN Transistor This series of plastic, medium−power silicon NPN transistors can be used for amplifier and switching applications. Complementary types are BD438 and BD442. Features • Pb−Free Packages are Available*

ONSEMI

安森美半导体

BD435G

封装/外壳:TO-225AA,TO-126-3 包装:卷带(TR) 描述:TRANS NPN 32V 4A TO126 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

ONSEMI

安森美半导体

BD435G

Plastic Medium Power Silicon NPN Transistor

文件:65.459 Kbytes Page:4 Pages

ONSEMI

安森美半导体

COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS

DESCRIPTION The BD433, BD435, and BD437 are silicon epitaxial-base NPN power transistors in Jedec SOT-32 plastic package, intented for use in medium power linear and switching applications. The BD433 is especially suitable for use in car-radio output stages. The complementary PNP types are BD43

STMICROELECTRONICS

意法半导体

FAST RECOVERY DIODE

FAST RECOVERY DIODE Repetitive voltage up to 2600 V Mean forward current 955 A Surge current 12 kA

POSEICO

4A TRIACS

文件:118 Kbytes Page:8 Pages

STMICROELECTRONICS

意法半导体

4A TRIACS

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意法半导体

BD435G产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    BD435G

  • 功能描述

    两极晶体管 - BJT BIP NPN 4A 22V

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    PNP 集电极—基极电压

  • VCBO

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    - 40 V 发射极 - 基极电压

  • VEBO

    - 6 V

  • 增益带宽产品fT

    直流集电极/Base Gain hfe

  • Min

    100 A

  • 安装风格

    SMD/SMT

  • 封装/箱体

    PowerFLAT 2 x 2

更新时间:2026-5-14 11:59:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ON/安森美
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