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型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
BC859CLT1

General Purpose Transistors

General Purpose Transistors PNP Silicon Features • Pb−Free Packages are Available

ONSEMI

安森美半导体

BC859CLT1

封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 包装:卷带(TR) 描述:TRANS PNP 30V 0.1A SOT23-3 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

ONSEMI

安森美半导体

丝印代码:4C;General Purpose Transistors

General Purpose Transistors PNP Silicon • Moisture Sensitivity Level: 1 • ESD Rating – Human Body Model: >4000 V – Machine Model: >400 V • We declare that the material of product compliance with RoHS requirements.

FS

General Purpose Transistors PNP Silicon

General Purpose Transistors PNP Silicon Features • S and NSV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AEC−Q101 Qualified and PPAP Capable • These Devices are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS Compliant

ONSEMI

安森美半导体

General Purpose Transistors

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ONSEMI

安森美半导体

封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 包装:卷带(TR) 描述:TRANS PNP 30V 0.1A SOT23-3 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

ONSEMI

安森美半导体

General Purpose Transistors PNP Silicon

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LRC

乐山无线电

General Purpose Transistors PNP Silicon

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LRC

乐山无线电

BC859CLT1产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    BC859CLT1

  • 功能描述

    两极晶体管 - BJT 100mA 30V PNP

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    PNP 集电极—基极电压

  • VCBO

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    - 40 V 发射极 - 基极电压

  • VEBO

    - 6 V

  • 增益带宽产品fT

    直流集电极/Base Gain hfe

  • Min

    100 A

  • 安装风格

    SMD/SMT

  • 封装/箱体

    PowerFLAT 2 x 2

更新时间:2026-5-20 20:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
onsemi
25+
SOT-23-3(TO-236)
22412
正规渠道,免费送样。支持账期,BOM一站式配齐
CJ
1224+
SOT23
6000
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
ON
24+
NA
3000
进口原装 假一罚十 现货
ON
23+
SOT23
4006
正规渠道,只有原装!
CJ
2450+
SOT23
9850
只做原装正品现货或订货假一赔十!
ON/安森美
NA
275000
一级代理原装正品,价格优势,长期供应!
ON
24+
SOT233SNGL
6000
ONS
23+
125
CJ
23+
SOT23
8500
原厂原装正品
三年内
1983
只做原装正品

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