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位置：首页 > IC中文资料第2212页 > BC847BDW1T1

BC847BDW1T1价格

参考价格：￥0.1153

型号：BC847BDW1T1G 品牌：ON 备注：这里有BC847BDW1T1多少钱，2025年最近7天走势，今日出价，今日竞价，BC847BDW1T1批发/采购报价，BC847BDW1T1行情走势销售排行榜，BC847BDW1T1报价。
型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
BC847BDW1T1

DualGeneralPurposeTransistors

Thesetransistorsaredesignedforgeneralpurposeamplifierapplications.TheyarehousedintheSOT−363/SC−88whichisdesignedforlowpowersurfacemountapplications. •DeviceMarking: BC846BDW1T1=1B BC847BDW1T1=1F BC848CDW1T1=1L Features •Pb−FreePackageisAvail

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI
BC847BDW1T1

DualGeneralPurposeTransistors

DualGeneralPurposeTransistors NPNDuals Thesetransistorsaredesignedforgeneralpurposeamplifierapplications.TheyarehousedintheSOT–363/SC–88whichisdesignedforlowpowersurfacemountapplications.

ETLE-Tech Electronics LTD

亚历电子亚历电子有限公司

ETL
BC847BDW1T1G

DualGeneralPurposeTransistors

Thesetransistorsaredesignedforgeneralpurposeamplifierapplications.TheyarehousedintheSOT−363/SC−88whichisdesignedforlowpowersurfacemountapplications. Features •TheseDevicesarePb−Free,HalogenFree/BFRFreeandareRoHSCompliant

ONSEMION Semiconductor

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DualGeneralPurposeTransistors

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文件：110.48 Kbytes Page：11 Pages

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BC847BDW1T1产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    BC847BDW1T1

  • 功能描述

    两极晶体管 - BJT 100mA 50V Dual NPN

  • RoHS

    否

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    PNP 集电极—基极电压

  • VCBO

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    - 40 V 发射极 - 基极电压

  • VEBO

    - 6 V

  • 增益带宽产品fT

    直流集电极/Base Gain hfe

  • Min

    100 A

  • 安装风格

    SMD/SMT

  • 封装/箱体

    PowerFLAT 2 x 2

BC847BDW1T1供应商更多...

更新时间：2025-8-2 17:32:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
深圳市盈慧通电子有限公司
BC847BDW1T1
ON(安森美)
2511
标准封装
8000
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柒号芯城电子商务(深圳)有限公司
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深圳市振宏微科技有限公司
BC847BDW1T1
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深圳市一线半导体有限公司
BC847BDW1T1
ON/ONSemiconductor/安森
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11200
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瀚佳科技(深圳)有限公司
BC847BDW1T1G
ON
24+
SOT-363
8900
全新原装现货,假一罚十
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