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型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
BC636TAR

封装/外壳:TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)成形引线 包装:散装 描述:TRANS PNP 45V 1A TO92-3 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

ONSEMI

安森美半导体

Switching and Amplifier Applications

文件:111.78 Kbytes Page:5 Pages

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仙童半导体

High Current Transistors(PNP Silicon)

High Current Transistors PNP Silicon

ONSEMI

安森美半导体

PNP medium power transistors

DESCRIPTION PNP medium power transistor in a TO-92; SOT54 plastic package. NP complements: BC635, BC637 and BC639. FEATURES • High current (max. 1 A) • Low voltage (max. 80 V). APPLICATIONS • Audio and video amplifiers.

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High Current Transistors

High Current Transistors PNP Silicon

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PHASE CONTROL THYRISTOR

PHASE CONTROL THYRISTOR Repetitive voltage up to 1800 V Mean on-state current 1965 A Surge current 36 kA

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Low voltage high performance mixer FM IF system with high-speed RSSI

文件:173.4 Kbytes Page:17 Pages

PHILIPS

飞利浦

BC636TAR产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    BC636TAR

  • 功能描述

    两极晶体管 - BJT PNP Si Transistor Epitaxial

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    PNP 集电极—基极电压

  • VCBO

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    - 40 V 发射极 - 基极电压

  • VEBO

    - 6 V

  • 增益带宽产品fT

    直流集电极/Base Gain hfe

  • Min

    100 A

  • 安装风格

    SMD/SMT

  • 封装/箱体

    PowerFLAT 2 x 2

更新时间:2026-8-1 20:00:00
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