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HighVoltagePNPEpitaxialPlanarTransistor

Description •Highbreakdownvoltage.(BVCEO=-400V) •Lowsaturationvoltage,typicalVCE(sat)=-0.2VatIc/IB=-20mA/-2mA. •WideSOA(safeoperationarea). •ComplementarytoBTC4505N3.

CYSTEKECCystech Electonics Corp.

全宇昕科技全宇昕科技股份有限公司

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