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型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
BAS19LT3G

High Voltage Switching Diode

High Voltage Switching Diode Device Marking: • BAS19LT1 = JP • BAS20LT1 = JR • BAS21LT1 = JS • BAS21DW5T1 = JS Features • Pb−Free Packages are Available

ONSEMI

安森美半导体

BAS19LT3G

High Voltage Switching Diode

Features • NSV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AEC−Q101 Qualified and PPAP Capable • These Devices are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS Compliant

ONSEMI

安森美半导体

BAS19LT3G

High Voltage Switching Diode

Features • These Devices are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS Compliant • S and NSV Prefixes for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AEC−Q101 Qualified and PPAP Capable

ONSEMI

安森美半导体

BAS19LT3G

High Voltage Switching Diode

文件：110.32 Kbytes Page：6 Pages

ONSEMI

安森美半导体

BAS19LT3G

封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带 描述：DIODE GP 120V 200MA SOT23-3 分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 单

ONSEMI

安森美半导体

BAS19LT3G

High Voltage Switching Diode

文件：131.96 Kbytes Page：6 Pages

ONSEMI

安森美半导体

BAS19LT3G

High Voltage Switching Diode

文件：128.41 Kbytes Page：6 Pages

ONSEMI

安森美半导体

BAS19LT3

High Voltage Switching Diode

High Voltage Switching Diode Device Marking: • BAS19LT1 = JP • BAS20LT1 = JR • BAS21LT1 = JS • BAS21DW5T1 = JS Features • Pb−Free Packages are Available

ONSEMI

安森美半导体

BAS19LT3

High Voltage Switching Diode

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ONSEMI

安森美半导体

BAS19LT3G产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    BAS19LT3G

  • 功能描述

    二极管 - 通用，功率，开关 120V 200mA

  • RoHS

    否

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 产品

    Switching Diodes

  • 峰值反向电压

    600 V

  • 正向连续电流

    200 A

  • 最大浪涌电流

    800 A

  • 恢复时间

    2000 ns

  • 正向电压下降

    1.25 V

  • 最大反向漏泄电流

    300 uA

  • 安装风格

    SMD/SMT

  • 封装/箱体

    ISOTOP

  • 封装

    Tube

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更新时间：2026-5-14 14:07:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
深圳市威雅利发展有限公司
BAS19TA
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ON/安森美
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