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2N5401N中文资料

厂家型号

2N5401N

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4

功能描述

PNP Silicon Transistor

两极晶体管 - BJT PNP Transistor General Purpose

数据手册

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生产厂商

AUK

2N5401N数据手册规格书PDF详情

Description

•General purpose amplifier

•High voltage application

Features

•High collector breakdown voltage : VCBO= -160V, VCEO= -160V

•Low collector saturation voltage : VCE(sat)=-0.5V(MAX.)

•Complementary pair with 2N5551N

2N5401N产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    2N5401N

  • 功能描述

    两极晶体管 - BJT PNP Transistor General Purpose

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    PNP 集电极—基极电压

  • VCBO

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    - 40 V 发射极 - 基极电压

  • VEBO

    - 6 V

  • 增益带宽产品fT

    直流集电极/Base Gain hfe

  • Min

    100 A

  • 安装风格

    SMD/SMT

  • 封装/箱体

    PowerFLAT 2 x 2

更新时间:2025-12-4 10:08:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
onsemi
25+
TO-226-3 TO-92-3 标准主体(!-
9350
独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证
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