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AT28C010E-12JI中文资料

厂家型号

AT28C010E-12JI

文件大小

570.6Kbytes

页面数量

11

功能描述

1 Megabit 128K x 8 Paged CMOS E2PROM

电可擦除可编程只读存储器 120NS IND TEMP PKG- 120NS IND TEMP

数据手册

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生产厂商

ATMEL

AT28C010E-12JI数据手册规格书PDF详情

The AT28C010 is a high-performance electrically-erasable and programmable read only memory. Its 1 megabit of memory is organized as 131,072 words by 8 bits. Manufactured with Atmel’s advanced nonvolatile CMOS technology, the device offers access times to 120 ns with power dissipation of just 220 mW. When the device is deselected, the CMOS standby current is less than 200 µA.

Features

• Fast Read Access Time – 120 ns

• Automatic Page Write Operation

– Internal Address and Data Latches for 128 Bytes

– Internal Control Timer

• Fast Write Cycle Time

– Page Write Cycle Time – 10 ms Maximum

– 1 to 128-byte Page Write Operation

• Low Power Dissipation

– 40 mA Active Current

– 200 µA CMOS Standby Current

• Hardware and Software Data Protection

AT28C010E-12JI产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    AT28C010E-12JI

  • 功能描述

    电可擦除可编程只读存储器 120NS IND TEMP PKG- 120NS IND TEMP

  • RoHS

  • 制造商

    Atmel

  • 存储容量

    2 Kbit

  • 组织

    256 B x 8

  • 数据保留

    100 yr

  • 最大时钟频率

    1000 KHz

  • 最大工作电流

    6 uA

  • 工作电源电压

    1.7 V to 5.5 V

  • 最大工作温度

    + 85 C

  • 安装风格

    SMD/SMT

  • 封装/箱体

    SOIC-8

更新时间:2025-11-27 13:01:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ATMEL/爱特梅尔
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