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BLV21中文资料

厂家型号

BLV21

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1

功能描述

NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR

射频双极电源晶体管 RF Transistor

数据手册

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生产厂商

ASI

BLV21数据手册规格书PDF详情

DESCRIPTION:

The ASI BLV21 is Designed for Class C, 28 V High Band Applications up to 175 MHz.

FEATURES:

• Common Emitter

• PG = 10 dB at 15 W/175 MHz

• Omnigold™ Metalization System

BLV21产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    BLV21

  • 功能描述

    射频双极电源晶体管 RF Transistor

  • RoHS

  • 制造商

    M/A-COM Technology Solutions

  • 配置

    Single 直流集电极/Base Gain hfe

  • Min

    40

  • 最大工作频率

    30 MHz 集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    25 V 发射极 - 基极电压

  • VEBO

    4 V

  • 集电极连续电流

    20 A

  • 功率耗散

    250 W

  • 封装/箱体

    Case 211-11

  • 封装

    Tray

更新时间:2025-10-30 16:30:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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