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AOW15S60中文资料

厂家型号

AOW15S60

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333.53Kbytes

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6

功能描述

600V 15A a MOS POWER Transistor

MOSFET N-CH 600V 15A TO262

数据手册

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生产厂商

AOSMD

AOW15S60数据手册规格书PDF详情

General Description

The AOW15S60 & AOWF15S60 have been fabricated using the advanced αMOSTM high voltage process that is designed to deliver high levels of performance and robustness in switching applications.

By providing low RDS(on), Qg and EOSS along with guaranteed avalanche capability these parts can be adopted quickly into new and existing offline power supply designs.

Product Summary

VDS @ Tj,max 700V

IDM 63A

RDS(ON),max 0.29Ω

Qg,typ 16nC

Eoss @ 400V 3.6µJ

100 UIS Tested

100 Rg Tested

AOW15S60产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    AOW15S60

  • 功能描述

    MOSFET N-CH 600V 15A TO262

  • RoHS

  • 类别

    分离式半导体产品 >> FET - 单

  • 系列

    aMOS™

  • 标准包装

    1,000

  • 系列

    MESH OVERLAY™ FET

  • MOSFET N 通道,金属氧化物 FET

  • 特点

    逻辑电平门

  • 漏极至源极电压(Vdss)

    200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°

  • C

    18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°

  • C

    180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的

  • Vgs(th)(最大)

    4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @

  • Vgs

    72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @

  • Vds

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大

    40W

  • 安装类型

    通孔

  • 封装/外壳

    TO-220-3 整包

  • 供应商设备封装

    TO-220FP

  • 包装

    管件

更新时间:2025-10-4 10:03:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
AOS/万代
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原装正品,支持实单
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