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AOP609中文资料

厂家型号

AOP609

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153.66Kbytes

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7

功能描述

Complementary Enhancement Mode Field Effect Transistor

MOSFET N/P-CH COMPL 60V 8-PDIP

数据手册

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生产厂商

AOSMD

AOP609数据手册规格书PDF详情

General Description

The AOP609 uses advanced trench technology MOSFETs to provide excellent RDS(ON) and low gate charge. The complementary MOSFETs may be used in H-bridge, Inverters and other applications. Standard Product AOP609 is Pb free (meets ROHS & Sony 259 specifications).

AOP609L is a Green Product ordering option.

AOP609 and AOP609L are electrically identical.

Features

n-channel p-channel

VDS (V) = 60V -60V

ID = 4.7A (VGS=10V) -3.5A (VGS=-10V)

RDS(ON) RDS(ON)

< 60mΩ (VGS=10V) < 115mΩ (VGS =-10V)

< 75mΩ (VGS=4.5V) < 140mΩ (VGS =-4.5V)

ESD Rating: 1500V HBM 3000V HMB

AOP609产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    AOP609

  • 功能描述

    MOSFET N/P-CH COMPL 60V 8-PDIP

  • RoHS

  • 类别

    分离式半导体产品 >> FET - 阵列

  • 系列

    -

  • 产品目录绘图

    8-SOIC Mosfet Package

  • 标准包装

    1

  • 系列

    - FET

  • 2 个 N 沟道(双) FET

  • 特点

    逻辑电平门

  • 漏极至源极电压(Vdss)

    60V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°

  • C

    3A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°

  • C

    75 毫欧 @ 4.6A,10V Id 时的

  • Vgs(th)(最大)

    3V @ 250µA 闸电荷(Qg) @

  • Vgs

    20nC @ 10V 输入电容(Ciss) @

  • Vds

    - 功率 -

  • 最大

    1.4W

  • 安装类型

    表面贴装

  • 封装/外壳

    PowerPAK? SO-8

  • 供应商设备封装

    PowerPAK? SO-8

  • 包装

    Digi-Reel®

  • 产品目录页面

    1664(CN2011-ZH PDF)

  • 其它名称

    SI7948DP-T1-GE3DKR

更新时间:2025-11-27 8:31:00
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