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AON5810中文资料

厂家型号

AON5810

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404.81Kbytes

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4

功能描述

Common-Drain Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

MOSFET 2N-CH 20V 7.7A DFN2X5

数据手册

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生产厂商

AOSMD

AON5810数据手册规格书PDF详情

General Description

The AON5810 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate voltages as low as 1.8V while retaining a 12V VGS(MAX) rating. It is ESD protected. This device is suitable for use as a uni-directional or bidirectional load switch, facilitated by its common-drain configuration. Standard Product AON5810 is Pb-free (meets ROHS & Sony 259 specifications). AON5810L is a Green Product ordering option. AON5810 and AON5810L are electrically identical.

Features

VDS (V) = 20V

ID = 7.7 A (VGS = 4.5V)

RDS(ON) < 18 mΩ (VGS = 4.5V)

RDS(ON) < 19 mΩ (VGS = 4.0V)

RDS(ON) < 21 mΩ (VGS = 3.1V)

RDS(ON) < 25 mΩ (VGS = 2.5V)

RDS(ON) < 40 mΩ (VGS = 1.8V)

ESD Rating: 2000V HBM

AON5810产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    AON5810

  • 功能描述

    MOSFET 2N-CH 20V 7.7A DFN2X5

  • RoHS

  • 类别

    分离式半导体产品 >> FET - 阵列

  • 系列

    -

  • 产品目录绘图

    8-SOIC Mosfet Package

  • 标准包装

    1

  • 系列

    - FET

  • 2 个 N 沟道(双) FET

  • 特点

    逻辑电平门

  • 漏极至源极电压(Vdss)

    60V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°

  • C

    3A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°

  • C

    75 毫欧 @ 4.6A,10V Id 时的

  • Vgs(th)(最大)

    3V @ 250µA 闸电荷(Qg) @

  • Vgs

    20nC @ 10V 输入电容(Ciss) @

  • Vds

    - 功率 -

  • 最大

    1.4W

  • 安装类型

    表面贴装

  • 封装/外壳

    PowerPAK? SO-8

  • 供应商设备封装

    PowerPAK? SO-8

  • 包装

    Digi-Reel®

  • 产品目录页面

    1664(CN2011-ZH PDF)

  • 其它名称

    SI7948DP-T1-GE3DKR

更新时间:2025-10-4 10:21:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
AOS(万代)
24+
标准封装
48573
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原厂渠道 可含税出货
AOS/万代
12+PBF
DFN2x5
345000
原装正品 可含税交易
AOS/万代
24+
DFN25
333888
原装进口 AOS原厂代理商
AOS
25+
QFN6
287
百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可
AOS/万代
23+
DFN25
24190
原装正品代理渠道价格优势
台产
18PB
XX
1
优势