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AOD607中文资料

厂家型号

AOD607

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7

功能描述

Complementary Enhancement Mode Field Effect Transistor

MOSFET COMPL 30V 12A TO252

数据手册

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生产厂商

AOSMD

AOD607数据手册规格书PDF详情

General Description

The AOD607 uses advanced trench technology MOSFETs to provide excellent RDS(ON) and low gate charge. The complementary MOSFETs may be used in H-bridge, Inverters and other applications. Standard product AOD607 is Pbfree (meets ROHS & Sony 259 specifications). AOD607L is a Green Product ordering option. AOD607 and AOD607L are electrically identical.

Features

n-channel p-channel

VDS (V) = 30V -30V

ID = 12A (VGS=10V) -12A (VGS = -10V)

RDS(ON) RDS(ON)

< 25 mΩ (VGS=10V) < 37 mΩ (VGS = -10V)

AOD607产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    AOD607

  • 功能描述

    MOSFET COMPL 30V 12A TO252

  • RoHS

  • 类别

    分离式半导体产品 >> FET - 阵列

  • 系列

    -

  • 产品目录绘图

    8-SOIC Mosfet Package

  • 标准包装

    1

  • 系列

    - FET

  • 2 个 N 沟道(双) FET

  • 特点

    逻辑电平门

  • 漏极至源极电压(Vdss)

    60V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°

  • C

    3A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°

  • C

    75 毫欧 @ 4.6A,10V Id 时的

  • Vgs(th)(最大)

    3V @ 250µA 闸电荷(Qg) @

  • Vgs

    20nC @ 10V 输入电容(Ciss) @

  • Vds

    - 功率 -

  • 最大

    1.4W

  • 安装类型

    表面贴装

  • 封装/外壳

    PowerPAK? SO-8

  • 供应商设备封装

    PowerPAK? SO-8

  • 包装

    Digi-Reel®

  • 产品目录页面

    1664(CN2011-ZH PDF)

  • 其它名称

    SI7948DP-T1-GE3DKR

更新时间:2025-11-25 11:08:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
AOSMD
17+
TO252
589
原装
AOS美国万代
24+
TO-252
125000
美国万代 代理AOS原装现货
AOS
22+
TO-252-4L
6600
正品渠道现货,终端可提供BOM表配单。
AOS/万代
25+
TO-252
32000
AOS/万代全新特价AOD607A即刻询购立享优惠#长期有货
AOS
2024
TO-252
15864
全新原装正品,现货销售
AOS
24+
TO-252-4
9555
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。
AOS
2024+
N/A
70000
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AOS
2430+
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24+
TO-2524L
35000
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24+
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