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AOD456中文资料

厂家型号

AOD456

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123.96Kbytes

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5

功能描述

N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

MOSFET N-CH 25V 50A TO252

数据手册

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生产厂商

AOSMD

AOD456数据手册规格书PDF详情

General Description

The AOD456 uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. This device is suitable for use in PWM, load switching and general purpose applications. Standard product AOD456 is Pb-free (meets ROHS & Sony 259 specifications). AOD456L is a Green Product ordering option. AOD456 and AOD456L are electrically identical.

​​​​​​​

Features

VDS (V) = 25V

ID = 50A (VGS = 10V)

RDS(ON) <6 mΩ (VGS = 10V)

RDS(ON)

AOD456产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    AOD456

  • 功能描述

    MOSFET N-CH 25V 50A TO252

  • RoHS

  • 类别

    分离式半导体产品 >> FET - 单

  • 系列

    -

  • 标准包装

    1,000

  • 系列

    MESH OVERLAY™ FET

  • MOSFET N 通道,金属氧化物 FET

  • 特点

    逻辑电平门

  • 漏极至源极电压(Vdss)

    200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°

  • C

    18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°

  • C

    180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的

  • Vgs(th)(最大)

    4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @

  • Vgs

    72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @

  • Vds

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大

    40W

  • 安装类型

    通孔

  • 封装/外壳

    TO-220-3 整包

  • 供应商设备封装

    TO-220FP

  • 包装

    管件

更新时间:2025-11-26 17:08:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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