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AOD4120中文资料

厂家型号

AOD4120

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127.97Kbytes

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5

功能描述

N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

MOSFET N-CH 20V 25A TO252

数据手册

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生产厂商

AOSMD

AOD4120数据手册规格书PDF详情

General Description

The AOD4120 uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. This device is suitable for use in PWM, load switching and general purpose applications. Standard product AOD4120 is Pb-free (meets ROHS & Sony 259 specifications). AOD4120L is a Green Product ordering option. AOD4120 and AOD4120L are electrically identical.

Features

VDS (V) = 20V

ID = 25A (VGS = 10V)

RDS(ON) <18 mΩ (VGS = 10V)

RDS(ON) <25 mΩ (VGS = 4.5V)

RDS(ON) <75 mΩ (VGS = 2.5V)

UIS Tested

Rg,Ciss,Coss,Crss Tested

AOD4120产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    AOD4120

  • 功能描述

    MOSFET N-CH 20V 25A TO252

  • RoHS

  • 类别

    分离式半导体产品 >> FET - 单

  • 系列

    -

  • 标准包装

    1,000

  • 系列

    MESH OVERLAY™ FET

  • MOSFET N 通道,金属氧化物 FET

  • 特点

    逻辑电平门

  • 漏极至源极电压(Vdss)

    200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°

  • C

    18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°

  • C

    180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的

  • Vgs(th)(最大)

    4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @

  • Vgs

    72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @

  • Vds

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大

    40W

  • 安装类型

    通孔

  • 封装/外壳

    TO-220-3 整包

  • 供应商设备封装

    TO-220FP

  • 包装

    管件

更新时间:2026-2-13 8:31:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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