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AOD407_V01中文资料

厂家型号

AOD407_V01

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6

功能描述

P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

数据手册

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生产厂商

AOSMD

AOD407_V01数据手册规格书PDF详情

General Description

The AOD407 uses advanced trench technology to

provide excellent RDS(ON), low gate charge and low

gate resistance. With the excellent thermal

resistance of the DPAK package, this device is well

suited for high current load applications.

-RoHS Compliant

-Halogen Free*

Features

VDS (V) = -60V

ID = -12A (VGS = -10V)

RDS(ON) < 115mW (VGS = -10V)

RDS(ON) < 150mW (VGS = -4.5V)

100% UIS tested

100% RG tested

更新时间:2025-10-3 14:01:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
NK/南科功率
2025+
TO-252
986966
国产
AOS/万代
24+
TO-252
60000
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