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AOB4S60中文资料

厂家型号

AOB4S60

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301.91Kbytes

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6

功能描述

600V 4A a MOS Power Transistor

MOSFET N-CH 600V 4A D2PAK

数据手册

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生产厂商

AOSMD

AOB4S60数据手册规格书PDF详情

General Description

The AOT4S60 & AOB4S60 & AOTF4S60 have been fabricated using the advanced αMOSTM high voltage process that is designed to deliver high levels of performance and robustness in switching applications. By providing low RDS(on), Qg and EOSS along with guaranteed avalanche capability these parts can be adopted quickly into new and existing offline power supply designs.

For Halogen Free add L suffix to part number:

AOT4S60L & AOB4S60L & AOTF4S60L

Product Summary

VDS @ Tj,max 700V

IDM 16A

RDS(ON),max 0.9Ω

Qg,typ 6nC

Eoss @ 400V 1.5µJ

​​​​​​​

100 UIS Tested

100 Rg Tested

AOB4S60产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    AOB4S60

  • 功能描述

    MOSFET N-CH 600V 4A D2PAK

  • RoHS

  • 类别

    分离式半导体产品 >> FET - 单

  • 系列

    aMOS™

  • 标准包装

    1,000

  • 系列

    MESH OVERLAY™ FET

  • MOSFET N 通道,金属氧化物 FET

  • 特点

    逻辑电平门

  • 漏极至源极电压(Vdss)

    200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°

  • C

    18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°

  • C

    180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的

  • Vgs(th)(最大)

    4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @

  • Vgs

    72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @

  • Vds

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大

    40W

  • 安装类型

    通孔

  • 封装/外壳

    TO-220-3 整包

  • 供应商设备封装

    TO-220FP

  • 包装

    管件

更新时间:2026-2-1 10:02:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
AOS/万代
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