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AOB4184中文资料

厂家型号

AOB4184

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143.06Kbytes

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6

功能描述

N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

MOSFET N-CH 40V 12A TO263

数据手册

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生产厂商

AOSMD

AOB4184数据手册规格书PDF详情

General Description

The AOB4184/L uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. With the excellent thermal resistance of the D2PAK package, this device is well suited for high current load applications. AOB4184 and AOB4184L are electrically identical.

-RoHS Compliant

-AOB4184L is Halogen Free

Features

VDS (V) =40V

ID = 30 A (V GS = 10V)

RDS(ON) < 10.5 mΩ (VGS = 10V)

RDS(ON)

100 UIS Tested!

AOB4184产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    AOB4184

  • 功能描述

    MOSFET N-CH 40V 12A TO263

  • RoHS

  • 类别

    分离式半导体产品 >> FET - 单

  • 系列

    -

  • 标准包装

    1,000

  • 系列

    MESH OVERLAY™ FET

  • MOSFET N 通道,金属氧化物 FET

  • 特点

    逻辑电平门

  • 漏极至源极电压(Vdss)

    200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°

  • C

    18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°

  • C

    180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的

  • Vgs(th)(最大)

    4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @

  • Vgs

    72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @

  • Vds

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大

    40W

  • 安装类型

    通孔

  • 封装/外壳

    TO-220-3 整包

  • 供应商设备封装

    TO-220FP

  • 包装

    管件

更新时间:2026-2-16 14:13:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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