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AOB412L中文资料

厂家型号

AOB412L

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313.05Kbytes

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7

功能描述

100V N-Channel MOSFET

MOSFET N-CH 100V 8.2A TO263

数据手册

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生产厂商

AOSMD

AOB412L数据手册规格书PDF详情

General Description

The AOT412 & AOB412L are fabricated with SDMOSTM trench technology that combines excellent RDS(ON) with low gate charge & low Qrr.The result is outstanding efficiency with controlled switching behavior. This universal technology is well suited for PWM, load switching and general purpose applications.

Product Summary

VDS 100V

ID (at VGS=10V) 60A

RDS(ON) (at VGS=10V) < 15.8mΩ

RDS(ON) (at VGS = 7V)

100 UIS Tested

100 Rg Tested

AOB412L产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    AOB412L

  • 功能描述

    MOSFET N-CH 100V 8.2A TO263

  • RoHS

  • 类别

    分离式半导体产品 >> FET - 单

  • 系列

    SDMOS™

  • 标准包装

    1,000

  • 系列

    MESH OVERLAY™ FET

  • MOSFET N 通道,金属氧化物 FET

  • 特点

    逻辑电平门

  • 漏极至源极电压(Vdss)

    200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°

  • C

    18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°

  • C

    180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的

  • Vgs(th)(最大)

    4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @

  • Vgs

    72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @

  • Vds

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大

    40W

  • 安装类型

    通孔

  • 封装/外壳

    TO-220-3 整包

  • 供应商设备封装

    TO-220FP

  • 包装

    管件

更新时间:2025-11-27 8:01:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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