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AOB11S60L中文资料

厂家型号

AOB11S60L

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7

功能描述

600V 11A a MOS

MOSFET N-CH 600V 11A TO263

数据手册

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生产厂商

AOSMD

AOB11S60L数据手册规格书PDF详情

General Description

The AOT11S60& AOB11S60 & AOTF11S60 have been fabricated using the advanced αMOSTM high voltage process that is designed to deliver high levels of performance and robustness in switching applications. By providing low RDS(on), Qg and EOSS along with guaranteed avalanche capability these parts can be adopted quickly into new and existing offline power supply designs.

Product Summary

VDS @ Tj,max 700V

IDM 45A

RDS(ON),max 0.399Ω

Qg,typ 11nC

Eoss @ 400V 2.7µJ

100 UIS Tested

100 Rg Tested

AOB11S60L产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    AOB11S60L

  • 功能描述

    MOSFET N-CH 600V 11A TO263

  • RoHS

  • 类别

    分离式半导体产品 >> FET - 单

  • 系列

    aMOS™

  • 标准包装

    1,000

  • 系列

    MESH OVERLAY™ FET

  • MOSFET N 通道,金属氧化物 FET

  • 特点

    逻辑电平门

  • 漏极至源极电压(Vdss)

    200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°

  • C

    18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°

  • C

    180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的

  • Vgs(th)(最大)

    4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @

  • Vgs

    72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @

  • Vds

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大

    40W

  • 安装类型

    通孔

  • 封装/外壳

    TO-220-3 整包

  • 供应商设备封装

    TO-220FP

  • 包装

    管件

更新时间:2025-10-17 10:21:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
AOS(万代)
24+
标准封装
28663
我们只是原厂的搬运工
AO/万代
2021+
TO-263
9000
原装现货,随时欢迎询价
AOS/万代
24+
TO-263
333888
AOS原厂代理商渠道/优势现货
AOS
2024+
N/A
70000
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TO-263-2
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AOS
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TO-263
50000
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