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AO8803L中文资料

厂家型号

AO8803L

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功能描述

Dual P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

数据手册

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生产厂商

AOSMD

AO8803L数据手册规格书PDF详情

General Description

The AO8803 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and

operation with gate voltages as low as 1.8V. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. It is ESD protected. Standard Product AO8803 is Pb-free (meets ROHS & Sony 259 specifications). AO8803L is a Green Product ordering option. AO8803 and AO8803L are electrically identical.

Features

VDS(V) = -12V

ID= -7 A (VGS= -4.5V)

RDS(ON) < 18mΩ(VGS= -4.5V)

RDS(ON)< 22mΩ(VGS= -2.5V)

RDS(ON)< 29mΩ(VGS= -1.8V)

ESD Rating: 4KV HBM

AO8803L产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    AO8803L

  • 制造商

    AOSMD

  • 制造商全称

    Alpha & Omega Semiconductors

  • 功能描述

    Dual P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

更新时间:2025-11-23 9:36:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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