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AO6401A中文资料

厂家型号

AO6401A

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4

功能描述

P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

MOSFET P-CH -30V -3.7A 6-TSOP

数据手册

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生产厂商

AOSMD

AO6401A数据手册规格书PDF详情

General Description

The AO6401A uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate voltages as low as 2.5V. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. AO6401A is Pb-free (meets ROHS & Sony 259 specifications).

Features

VDS = -30V

ID = -5.0A (VGS = -10V))

RDS(ON) < 44mΩ (VGS = -10V)

RDS(ON) < 55mΩ (VGS = -4.5V)

RDS(ON)

AO6401A产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    AO6401A

  • 功能描述

    MOSFET P-CH -30V -3.7A 6-TSOP

  • RoHS

  • 类别

    分离式半导体产品 >> FET - 单

  • 系列

    -

  • 标准包装

    1,000

  • 系列

    MESH OVERLAY™ FET

  • MOSFET N 通道,金属氧化物 FET

  • 特点

    逻辑电平门

  • 漏极至源极电压(Vdss)

    200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°

  • C

    18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°

  • C

    180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的

  • Vgs(th)(最大)

    4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @

  • Vgs

    72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @

  • Vds

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大

    40W

  • 安装类型

    通孔

  • 封装/外壳

    TO-220-3 整包

  • 供应商设备封装

    TO-220FP

  • 包装

    管件

更新时间:2025-11-30 10:02:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
AOS美国万代
24+
TSOP-6/SOT23-6
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