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AO4900AL中文资料

厂家型号

AO4900AL

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功能描述

Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor with Schottky Diode

数据手册

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生产厂商

AOSMD

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General Description

The AO4900A uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) and low gate charge. The two MOSFETs make a compact and efficient switch and synchronous rectifier combination for use in DC DC converters. A Schottky diode is co-packaged in parallel with the synchronous MOSFET to boost efficiency further.Standard Product AO4900A is Pb free (meets ROHS & Sony 259 specifications).

AO4900AL is a Green Product ordering option.

AO4900A and AO4900AL are electrically identical.

Features

VDS (V) = 30V

ID = 6.9A (VGS = 10V)

RDS(ON) < 27mΩ (VGS = 10V)

RDS(ON) < 32mΩ (VGS = 4.5V)

RDS(ON)

SCHOTTKY

VDS (V) = 30V, IF = 3A, VF=0.5V@1A

AO4900AL产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    AO4900AL

  • 制造商

    AOSMD

  • 制造商全称

    Alpha & Omega Semiconductors

  • 功能描述

    Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor with Schottky Diode

更新时间:2025-10-4 14:08:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
AO
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