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AO4613L中文资料

厂家型号

AO4613L

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7

功能描述

Complementary Enhancement Mode Field Effect Transistor

数据手册

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生产厂商

AOSMD

AO4613L数据手册规格书PDF详情

General Description

The AO4613 uses advanced trench technology MOSFETs to provide excellent RDS(ON) and low gate charge. The complementary MOSFETs may be used to form a level shifted high side switch, and for a host of other applications. It is ESD protected. Standard product AO4613 is Pb-free (meets ROHS & Sony 259 specifications). AO4613L is a Green Product ordering option. AO4613 and AO4613L are electrically identical

Features

N-Channel P-Channel

VDS (V) = 30V -30V

ID = 7.2A (VGS=10V) -6.1A (VGS=10V)

RDS(ON) RDS(ON)

< 24mΩ (VGS=10V) < 37mΩ (VGS = -10V)

ESD rating: 1500V (HBM)

AO4613L产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    AO4613L

  • 制造商

    AOSMD

  • 制造商全称

    Alpha & Omega Semiconductors

  • 功能描述

    Complementary Enhancement Mode Field Effect Transistor

更新时间:2025-11-30 16:10:00
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