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AO4478L中文资料

厂家型号

AO4478L

文件大小

212.5Kbytes

页面数量

6

功能描述

N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

数据手册

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生产厂商

AOSMD

AO4478L数据手册规格书PDF详情

General Description

The AO4478L uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge. This device is suitable for use as general puspose, PWM and a load switch applications.

-RoHS Compliant

-Halogen Free

Features

VDS (V) = 30V

ID = 9A (VGS = 10V)

RDS(ON) <19mΩ (VGS = 10V)

RDS(ON)

100 UIS Tested!

100 Rg Tested!

更新时间:2026-2-27 17:21:00
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