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AO4404B中文资料

厂家型号

AO4404B

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4

功能描述

N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

MOSFET N-CH 30V 8.5A 8-SOIC

数据手册

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生产厂商

AOSMD

AO4404B数据手册规格书PDF详情

General Description

The AO4404B uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate voltages as low as 2.5V. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. The source leads are separated to allow a Kelvin connection to the source, which may be used to bypass the source inductance. Standard Product AO4404B is Pb-free (meets ROHS & Sony 259 specifications).

Features

VDS (V) = 30V

ID = 8.5A (VGS = 10V)

RDS(ON) < 24mΩ (VGS = 10V)

RDS(ON) < 30mΩ (VGS = 4.5V)

RDS(ON)

UIS TESTED!

Rg,Ciss,Coss,Crss Tested

AO4404B产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    AO4404B

  • 功能描述

    MOSFET N-CH 30V 8.5A 8-SOIC

  • RoHS

  • 类别

    分离式半导体产品 >> FET - 单

  • 系列

    -

  • 标准包装

    1,000

  • 系列

    MESH OVERLAY™ FET

  • MOSFET N 通道,金属氧化物 FET

  • 特点

    逻辑电平门

  • 漏极至源极电压(Vdss)

    200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°

  • C

    18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°

  • C

    180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的

  • Vgs(th)(最大)

    4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @

  • Vgs

    72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @

  • Vds

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大

    40W

  • 安装类型

    通孔

  • 封装/外壳

    TO-220-3 整包

  • 供应商设备封装

    TO-220FP

  • 包装

    管件

更新时间:2025-10-11 16:10:00
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